SCT4065DE (신제품)
750V, 25A, 3핀 THD, 트렌치 구조, SiC MOSFET
SCT4065DE (신제품)
750V, 25A, 3핀 THD, 트렌치 구조, SiC MOSFET
SCT4065DE는 SiC (Silicon Carbide) 트렌치 MOSFET입니다. 고전압 내성, 낮은 ON 저항, 빠른 스위칭 속도가 특징입니다.
ROHM의 제4세대 SiC MOSFET의 장점
이 시리즈는 기존 제품 대비 ON 저항이 약 40%, 스위칭 손실이 약 50% 절감되었습니다. 15V의 게이트-소스 전압으로 애플리케이션 설계가 더욱 용이해졌습니다.
이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
Product Detail
사양 :
Drain-source Voltage[V]
750
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
65
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
25
Total Power Dissipation[W]
88
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
21.0x16.0 (t=5.2)
특징 :
- 낮은 ON 저항
- 고속 스위칭 속도
- 고속 역방향 회복
- 병렬 연결 용이
- 간단한 구동
- Pb-free 리드 도금; RoHS 준수
