SCT4050KR (신제품)
1200V, 32A, 4-pin THD, 트렌치 구조 SiC MOSFET
SCT4050KR (신제품)
1200V, 32A, 4-pin THD, 트렌치 구조 SiC MOSFET
SCT4050KR은 SiC (탄화규소) 트렌치 MOSFET입니다. 고내압, 저 ON 저항, 고속 스위칭 속도를 특징으로 합니다.
ROHM의 4세대 SiC MOSFET의 장점
이 시리즈는 기존 제품에 비해 ON 저항이 약 40%, 스위칭 손실이 약 50% 감소했습니다. 15V의 게이트-소스 전압으로 애플리케이션 설계를 더 쉽게 합니다.
이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
Product Detail
사양 :
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
50
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
32
Total Power Dissipation[W]
136
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
23.45x16.0 (t=5.2)
특징 :
- 낮은 ON 저항
- 고속 스위칭 속도
- 빠른 역회복 특성
- 병렬 연결 용이
- 간편한 구동
- Pb-free 리드 도금; RoHS 준수
