SCT4050KE (신제품)
1200V, 32A, 3핀 THD, Trench 구조 SiC MOSFET
SCT4050KE (신제품)
1200V, 32A, 3핀 THD, Trench 구조 SiC MOSFET
SCT4050KE는 SiC (실리콘 카바이드) Trench MOSFET입니다. 고내압, 낮은 ON 저항, 고속 스위칭이 특징입니다.
ROHM의 4세대 SiC MOSFET의 장점
이 시리즈는 기존 제품 대비 ON 저항을 약 40%, 스위칭 손실을 약 50% 저감했습니다. 15V의 게이트-소스 전압으로 애플리케이션 설계를 더욱 쉽게 합니다.
Product Detail
사양 :
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
50
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
32
Total Power Dissipation[W]
136
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
21.0x16.0 (t=5.2)
특징 :
- 낮은 ON 저항
- 고속 스위칭
- 고속 역회복
- 병렬 연결 용이
- 간편한 구동
- Pb-free 리드 도금; RoHS 준수
