SCT3080KLHR
Nch SiC 파워 MOSFET
SCT3080KLHR
SCT3080KLHR
Nch SiC 파워 MOSFET
SiC Trench 타입 MOSFET입니다. Planar 타입 SiC-MOSFET에 비해 동일 칩 사이즈로 ON 저항이 50% 삭감되어, 태양광 발전용 파워 컨디셔너 및 산업기기용 전원, 공업용 인버터 등, 모든 기기의 전력손실을 대폭 저감할 수 있습니다.
Product Detail
사양 :
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
80
Generation
3rd Gen (Trench)
Drain Current[A]
31
Total Power Dissipation[W]
165
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
16x21 (t=5.2)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
특징 :
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Fast reverse recovery
- Easy to parallel
- Simple to drive
- Pb-free lead plating ; RoHS compliant
- Qualified to AEC-Q101
