SCT3080AW7
650V 29A, 7-pin SMD, 트렌치 구조 SiC MOSFET
SCT3080AW7
650V 29A, 7-pin SMD, 트렌치 구조 SiC MOSFET
SCT3080AW7은 SiC (Silicon Carbide) 트렌치 MOSFET입니다. 고내압, 저 ON 저항, 고속 스위칭 등의 특징을 지닙니다.
Product Detail
사양 :
Drain-source Voltage[V]
650
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
80
Generation
3rd Gen (Trench)
Drain Current[A]
29
Total Power Dissipation[W]
125
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
15.4x10.2 (t=4.7)
특징 :
- 저 ON 저항
- 고속 스위칭
- 고속 역회복
- 병렬화 용이
- 심플한 구동
- Pb-free 리드 도금 ; RoHS 준수