ROHM Product Detail

SCT2H12NWB (신제품)

1700V, 3.9A, 7핀 SMD, SiC (탄화규소) MOSFET
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SCT2H12NWB
(신제품)

SCT2H12NWB (신제품)
1700V, 3.9A, 7핀 SMD, SiC (탄화규소) MOSFET

SCT2H12NWB는 SiC (실리콘 카바이드) 플래너 MOSFET입니다. (SiC-SBD 비 동시 패키지). 고전압 내성, 낮은 ON 저항, 고속 스위칭 속도 등의 특징이 있습니다.

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* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다.
이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
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Product Detail

 
형명 | SCT2H12NWBTL1
상태 | 추천품
패키지 | TO-263CA-7LSHYAD
포장 사양 | Taping
포장 수량 | 800
최소 포장 단위 | 800
RoHS | Yes

사양 :

Drain-source Voltage[V]

1700

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

1150

Generation

2nd Gen (Planar)

Drain Current[A]

3.9

Total Power Dissipation[W]

39

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Package Size [mm]

15.5x10.2 (t=4.7)

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특징 :

  • 낮은 ON 저항
  • 고속 스위칭
  • 넓은 연면 거리 = 6.1 mm
  • 간단한 구동
  • Pb-free 리드 도금 ; RoHS 준수
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