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SiC MOSFET - SCT2080KE

SiC Planar 타입 MOSFET입니다. (SiC-SBD not co-packed) 고내압 · 저 ON 저항 · 고속 스위칭이 특징입니다.

SiC FundamentalsSiC Power Device Application Note

* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다. 이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
형명 | SCT2080KEC
상태 | 공급중
패키지 | TO-247
포장 수량 | 360
최소 포장 단위 | 30
포장 사양 | Tube
RoHS | Yes

사양 :

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

80

Drain Current[A]

40.0

Total Power Dissipation[W]

262

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

특징 :

・High-speed switching
・Low ON resistance
・Low body diode Qrr and trr
・Ensured reliability of body diode conduction