ROHM Product Detail

BD35390FJ
DDR-SDRAM 터미네이션용 리니어 전원

BD35390FJ는 JEDEC 준거 DDR1 / 2 / 3-SDRAM에 대응하는 터미네이션 레귤레이터입니다. N-MOSFET를 내장하여 싱크 / 소스로 최대 1A까지 공급 가능한 리니어 전원입니다. 내부의 OP Amp를 고속 설계함으로써 우수한 과도 응답 특성을 실현합니다. 내부의 N-MOSFET를 구동하기 위해 바이어스용 전원으로 3.3V 또는 5.0V가 필요합니다. JEDEC로 규정된 전압 정밀도를 유지하기 위해 독립된 기준 입력 Pin (VDDQ)와 독립된 피드백 Pin (VTTS)를 구비하여, 우수한 출력전압 정밀도 및 로드 레귤레이션을 실현합니다.

Data Sheet 구입 *
* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다.
이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.

Product Detail

 
형명 | BD35390FJ-E2
상태 | 구입 가능
패키지 | SOP-J8
포장 사양 | Taping
포장 수량 | 2500
최소 포장 단위 | 2500
RoHS | Yes

사양 :

ch

1

Withstand Voltage (Max.)[V]

7

Vin(Min.)[V]

2.7

Vin(Max.)[V]

5.5

Iout(Max.)[A]

1

Vout Type

Adjustable

Circuit Current[mA]

2

Thermal Shut-down

Yes

Under Voltage Lock Out

Yes

Soft Start

Yes

Operating Temperature (Min.)[°C]

-30

Operating Temperature (Max.)[°C]

100

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특징 :

· Incorporates a Push-Pull Power Supply for Termination (VTT)
· Incorporates an Enabler
· Incorporates an Under Voltage Lockout (UVLO)
· Incorporates a Thermal Shutdown Protector (TSD)
· Compatible with Dual Channel (DDR1, DDR2, DDR3)
· Incorporates PGOOD Function
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