BM6GD11BFJ-LB
절연 전압 2500Vrms GaN HEMT용 1ch 갈바닉 절연 게이트 드라이버
BM6GD11BFJ-LB
절연 전압 2500Vrms GaN HEMT용 1ch 갈바닉 절연 게이트 드라이버
본 제품은 산업기기 시장에 적합한 제품입니다. 해당 애플리케이션에 최적인 제품입니다. BM6GD11BFJ-LB는 GaN HEMT를 고속으로 구동할 수 있는 절연형 1채널 게이트 드라이버입니다. 2500 Vrms의 절연 내압, 최대 60ns의 입출력 지연 시간, 최소 65ns의 입력 펄스 폭을 제공합니다. 소스 및 싱크 측의 출력 드라이버 핀은 분리되어 있습니다. 이 핀들은 GaN HEMT의 게이트 핀 사이에 저항기를 삽입하여 상승 및 하강 에지에서 slew rate가 개별적으로 조정된 스위칭 파형을 생성합니다. 또한, 입력 측(VCC1과 GND1 사이)과 출력 측(VCC2와 GND2 사이)에 각각 UVLO(Under-Voltage Lockout) 기능이 내장되어 있습니다.
Product Detail
사양 :
Configuration
High-side,Low-side,Half-bridge
Isolation Type
Isolated
Isolation Voltage[Vrms]
2500
Channel
1
Vcc1(Min.)[V]
4.5
Vcc1(Max.)[V]
5.5
Vcc2(Min.)[V]
4.5
Vcc2(Max.)[V]
6
I/O Delay Time(Max.)[ns]
Rise=8ns(typ)/ Fall=8ns(typ)
Min. Input Pulse Width[ns]
65
CMTI (Min.)[kV/μs]
150
Operating Temperature (Min.)[°C]
-40
Operating Temperature (Max.)[°C]
125
Temperature Monitor
No
Package Size [mm]
4.9x6.0 (t=1.65)
특징 :
- 절연 기능 내장
- UVLO (Under-Voltage Lockout) 기능 내장
