BD2311NVX-LB (신제품)
Single-channel Ultra-Fast Gate Driver for driving GaN Devices
BD2311NVX-LB (신제품)
Single-channel Ultra-Fast Gate Driver for driving GaN Devices
This product is a rank product for the industrial equipment market. This is the best product for use in these applications. BD2311NVX-LB is a single gate driver capable of driving GaN HEMTs at Ultra-Fast with narrow pulses, which can contribute to the long-range and high accuracy of LiDAR. It can supply 7A output current in a small 6-pin SON package. As a protection function, the driver includes an Undervoltage Lockout(UVLO) between VCC and GND.
Product Detail
사양 :
Channel
1
Vcc1(Min.)[V]
4.5
Vcc1(Max.)[V]
5.5
I/O Delay Time(Max.)[ns]
Rise=3.4ns(typ)/Fall=3.0ns(typ)
Min. Input Pulse Width[ns]
1.25
Operating Temperature (Min.)[°C]
-40
Operating Temperature (Max.)[°C]
125
Package Size [mm]
2x2(t=0.6)
특징 :
- Gate Driver Voltage Range 4.5V to 5.5V
- Minimum Input Pulse Width 1.25ns (220pF load)
- Typical Rise Time 0.65ns (220pF load)
- Typical Fall Time 0.70ns (220pF load)
- Built-in Undervoltage Lockout (UVLO) between VCC and GND
- Inverting and non-inverting inputs
- Small Package SSON06RX2020
Supporting Information
배경
최근 IoT 기기의 증가에 따라 수요가 확대되고 있는 서버 시스템 등에서, 전원부의 전력 변환 효율 향상이나 장치의 소형화가 중요한 사회적 과제로 대두되어, 파워 디바이스의 한차원 높은 진화가 요구되고 있습니다. 또한, 자동 운전뿐만 아니라 산업기기 및 사회 인프라 감시 용도 등에 채용되는 LiDAR의 경우, 인식 정밀도를 한층 더 향상시키기 위해 고속 펄스의 레이저 광 조사가 필요합니다.
이와 같은 어플리케이션에서는 고속 스위칭 디바이스의 사용이 필수이므로, 이를 가능하게 하는 GaN 디바이스의 성능을 최대화시키는 초고속 구동의 게이트 드라이버 IC를 개발하였습니다.
개요
「BD2311NVX-LB」는 나노초 (ns)의 게이트 구동 속도를 실현하여, GaN 디바이스를 고속으로 스위칭시킬 수 있습니다. 이러한 특성은 GaN 디바이스에 대한 충분한 이해를 바탕으로 게이트 드라이버 IC의 성능 향상을 추구함으로써 실현할 수 있었습니다. 최소 게이트 입력 펄스 폭 1.25ns의 고속 스위칭을 통해 어플리케이션의 소형화, 저전력화, 고성능화에 기여합니다.
또한, 독자적인 구동 방식을 채용함으로써, 기존에는 실현이 어려웠던 게이트 입력 파형의 오버슈트를 억제하는 기능도 탑재하여, 과전압 입력으로 인한 GaN 디바이스의 고장을 방지합니다. 로옴의 EcoGaN™과 함께 구성하면, 세트 설계가 용이해짐과 동시에 어플리케이션의 신뢰성 향상에도 기여합니다. 그리고, 어플리케이션의 다양한 요구에 대해서도 게이트 저항을 조정함으로써, 최적의 GaN 디바이스를 선정할 수 있습니다.
어플리케이션 예
・LiDAR (산업기기 및 인프라 감시 용도 등) 구동 회로
・데이터 센터 및 기지국 등 48V 입력 강압 컨버터 회로
・포터블 기기용 무선 충전 회로
・D급 오디오 앰프 등
Reference Design / Application Evaluation Kit
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- Reference Design - REFLD002
- Laser Driver Reference Design with GaN HEMT for High-Resolution LiDAR
The range of uses for LiDAR sensors is expanding to include not only autonomous driving, but also applications in the industrial and infrastructure fields. LiDAR sensors are required to have longer sensing distance and higher resolution, and in addition to improving the characteristics of the laser diode, it is necessary to drive the laser diode at higher speeds and power. ROHM offers a lineup of 905nm high power narrow emission width laser diodes. (RLD90QZWx Series) Reference designs are available that includes EcoGAN™, a next-generation device capable of high-speed drive, along with a high-speed gate driver for GaN HEMTs that contribute to improved LiDAR sensor characteristics (distance and resolution) .
- Enables high-speed driving of laser diodes - a key device in LiDAR applications
- Includes next-gen EcoGaN™ devices
- Built-in high-speed gate driver for GaN HEMTs (BD2311NVX-C)
- Two circuit types: square wave and resonant
