RU1E002SP
4V Drive P채널 MOSFET
RU1E002SP
4V Drive P채널 MOSFET
MOSFET는 저전류 소비 모바일 기기에 적합한 마이크로 프로세싱 기술에 의해 초저 온 저항으로 만들어집니다. 컴팩트 타입, 하이파워 타입 및 복합 타입 등 시장의 요구를 충족시키는 다양한 라인업으로 제공됩니다.
Product Detail
사양 :
Package Code
SOT-323FL
JEITA Package
SC-85
Number of terminal
3
Polarity
P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-30
Drain Current ID[A]
-0.25
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
1.6
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
1.4
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.9
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
1.6
Power Dissipation (PD)[W]
0.2
Drive Voltage[V]
-4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.1x2.0 (t=1.05)
특징 :
· 4V 구동 타입· P채널 소신호 MOSFET
· 소형 표면 실장 패키지
· Pb Free/RoHS Compliant
