RU1C001ZP
1.2V Drive P-채널 MOSFET
RU1C001ZP
1.2V Drive P-채널 MOSFET
MOSFET는 저전력 소비 모바일 기기에 최적화된 미세 가공 기술을 통해 초저 온저항을 구현합니다. 소형, 고전력, 복합형 등 시장의 요구에 맞는 다양한 라인업으로 제공됩니다.
Product Detail
사양 :
Package Code
SOT-323FL
JEITA Package
SC-85
Number of terminal
3
Polarity
P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-20
Drain Current ID[A]
-0.1
RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ)
10
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ)
6
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
4.8
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
3.4
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
2.5
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
10
Power Dissipation (PD)[W]
0.15
Drive Voltage[V]
-1.2
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.1x2.0 (t=1.05)
특징 :
· 저전압 (1.2V) 구동 타입· P 채널 소신호 MOSFET
· 소형 표면 실장 패키지
· Pb Free/RoHS Compliant
