RU1J002YN
0.9V 구동 N 채널 MOSFET
RU1J002YN
0.9V 구동 N 채널 MOSFET
MOSFET는 저전력 소모를 위한 모바일 기기에 적합한 미세 가공 기술을 통해 초저 온 저항으로 제조됩니다. 컴팩트 타입, 고전력 타입 및 복합 타입을 포함하여 시장 요구를 충족하는 다양한 라인업을 제공합니다.
Product Detail
사양 :
Package Code
SOT-323FL
JEITA Package
SC-85
Number of terminal
3
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
50
Drain Current ID[A]
0.2
RDS(on)[Ω] VGS=0.9V(Typ)
3
RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ)
2.2
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ)
2
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
1.7
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
1.6
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
3
Power Dissipation (PD)[W]
0.15
Drive Voltage[V]
0.9
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.1x2.0 (t=1.05)
특징 :
· 저전압 (0.9V) 구동 타입· N-채널 스몰 시그널 MOSFET
· 소형 표면 실장 패키지
· Pb Free/RoHS Compliant
