RQ3E120GN
4.5V Drive N채널 MOSFET
RQ3E120GN
4.5V Drive N채널 MOSFET
전력 MOSFET은 다양한 애플리케이션에 유용한 마이크로 프로세싱 기술로 낮은 온저항 디바이스로 제조됩니다. 컴팩트 타입, 고전력 타입, 복합 타입 등 시장의 다양한 요구를 충족하는 폭넓은 라인업.
Product Detail
사양 :
Package Code
HSMT8
Applications
Power Supply
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
27
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0091
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0067
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0091
Total gate charge Qg[nC]
4.8
Power Dissipation (PD)[W]
15
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Bare Die Part Number
Available: K4503
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
특징 :
・ 낮은 온저항.・ 고전력 패키지 (HSMT8)
・ Pb-free 리드 도금 ; RoHS 준수
・ 할로겐 프리
