RQ3E120BN
N-channel 30V 21A 파워 MOSFET
RQ3E120BN
N-channel 30V 21A 파워 MOSFET
고출력 패키지 RQ3E120BN은 스위칭 애플리케이션용 미들 파워 MOSFET입니다.
Product Detail
사양 :
Package Code
HSMT8
Applications
Switching, Motor
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
21
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0086
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0066
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0086
Total gate charge Qg[nC]
14
Power Dissipation (PD)[W]
16
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Bare Die Part Number
Available: K4012
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
특징 :
- 낮은 온 저항
- 고전력 패키지 (HSMT8)
- Pb 프리 도금; RoHS 준수
- Halogen Free
