RQ1E100XN
4V Drive Nch MOSFET
RQ1E100XN
4V Drive Nch MOSFET
전계 효과 트랜지스터 MOSFET. 미세 프로세스를 채용한 "모바일용 초저 ON 저항 디바이스" 로 저소비전력의 파워 MOSFET 를 제공합니다. 또 용도에 따라 소형ᆞ하이파워ᆞ복합화가 가능한 풍부한 라인업으로 시장 요구에 대응합니다.
Product Detail
사양 :
Package Code
TSMT8
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
10
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
0.01
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0095
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0075
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.01
Total gate charge Qg[nC]
12.7
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.8x3.0 (t=0.85)
특징 :
ᆞ4V 구동 타입 Nch 미들 파워 MOSFET
Videos & Catalogs
