SH8K11
4V 구동 Dual N-channel MOSFET
SH8K11
4V 구동 Dual N-channel MOSFET
N+N 복합형 MOSFET는 다양한 애플리케이션에 유용한 미세 가공 기술을 통해 낮은 온저항을 갖는 디바이스로 제조됩니다. 시장의 다양한 요구를 충족시키기 위해 소형, 고전력 및 복합형을 포함한 광범위한 라인업을 제공합니다.
이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
Product Detail
사양 :
Package Code
SOP8
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
N+N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
3.5
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
0.1
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.09
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.07
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.1
Total gate charge Qg[nC]
1.9
Power Dissipation (PD)[W]
2
Drive Voltage[V]
4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
6.0x5.0 (t=1.75)
특징 :
· 4V 구동 타입· 듀얼 N채널 미들 파워 MOSFET
· 고속 스위칭 속도
· 소형 면실장 패키지
· Pb Free/RoHS Compliant
