SH8J66
-30V Dual P채널 Power MOSFET
SH8J66
-30V Dual P채널 Power MOSFET
복합 타입 MOSFET(P+P)은 마이크로 프로세싱 기술로 저온 저항 장치로 제조되어 광범위한 애플리케이션에 유용합니다. 컴팩트 타입, 고전력 타입 및 복합 타입을 아우르는 광범위한 라인업으로 시장의 다양한 요구를 충족합니다.
Product Detail
사양 :
Package Code
SOP8
Applications
Power Supply
Number of terminal
8
Polarity
P+P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-30
Drain Current ID[A]
-9
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
0.019
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0175
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0135
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.019
Total gate charge Qg[nC]
35
Power Dissipation (PD)[W]
2
Drive Voltage[V]
-4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
6.0x5.0 (t=1.75)
특징 :
· 4V-drive 타입· 듀얼 P-채널 미들 파워 MOSFET
· 고속 스위칭 속도
· 소형 표면 실장 패키지
· Pb Free/RoHS Compliant
