QS5U34
1.8V Drive Nch+SBD MOSFET

전계 효과 트랜지스터 MOSFET. 미세 프로세스를 채용한 저 ON 저항 MOSFET 와 쇼트키 배리어 다이오드 (SBD) 를 복합화하여, 풍부한 라인업으로 다양한 시장 요구에 대응합니다.

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* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다.
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Product Detail

 
형명 | QS5U34TR
상태 | 구입 가능
패키지 | TSMT5
포장 수량 | 3000
최소 포장 단위 | 3000
포장 사양 | Taping
RoHS | Yes

사양 :

Package Code

SOT-25T

Number of terminal

5

Polarity

Nch+Schottky

Drain-Source Voltage VDSS[V]

20

Drain Current ID[A]

1.5

RDS(on)[Ω] VGS=1.8V(Typ.)

0.22

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)

0.17

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.13

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.22

Total gate charge Qg[nC]

1.8

Power Dissipation (PD)[W]

0.9

Drive Voltage[V]

1.8

Reverse voltage VR (Diode) [V]

20

Forward Current IF (Diode) [A]

0.5

Forward Current Surge Peak IFSM (Diode) [A]

2

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

2.9x2.8 (t=1)

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