EM6M2
1.2V Drive Complementary MOSFET
EM6M2
1.2V Drive Complementary MOSFET
마이크로 프로세싱 기술로 저온 저항 장치로 만들어진 복합형 MOSFET(P+N)은 광범위한 애플리케이션에 유용합니다. 시장의 다양한 요구를 충족하기 위해 소형, 고전력 및 복합 유형을 아우르는 광범위한 라인업.
Product Detail
사양 :
Package Code
SOT-563
JEITA Package
SC-107C
Number of terminal
6
Polarity
N+P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
20
Drain Current ID[A]
0.2
RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ)
1.6
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
0.8
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)
0.7
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
1.6
Power Dissipation (PD)[W]
0.15
Drive Voltage[V]
1.2
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
1.6x1.6 (t=0.55)
특징 :
· 저전압 (1.2V) 구동 타입· Complementary 소신호 MOSFET
· 소형 표면 실장 패키지
· Pb Free/RoHS 준수
