RV8C010UNHZG
높은 실장 신뢰성, DFN1010, Nch 20V 1A, 오토모티브용 소신호 MOSFET

RV8C010UNHZG는 우수한 실장 신뢰성을 실현한 오토모티브용 초소형 MOSFET로, 독자적인 Wettable Flank 형성 기술을 통해 패키지 측면 전극 부분의 높이 125μm를 보증하였습니다. 하면전극 패키지로 안정된 솔더 품질을 확보하여, 부품 실장 후의 외관 검사 (AOI)에서 솔더링 상태를 확실하게 확인할 수 있습니다. 자동차 ECU 및 ADAS 카메라 모듈 등 차량용 부품의 소형화에 기여합니다. High-side 로드 스위치 및 스위칭 회로, 릴레이 드라이버 용도에 최적입니다.

Product Detail

 
형명 | RV8C010UNHZGG2CR
상태 | 추천품
패키지 | DFN1010-3W (Wettable Flank)
포장 수량 | 8000
최소 포장 단위 | 8000
포장 사양 | Taping
RoHS | Yes

사양 :

Package Code

DFN1010-3W

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

20

Drain Current ID[A]

1

RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ.)

0.7

RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ.)

0.54

RDS(on)[Ω] VGS=1.8V(Typ.)

0.47

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)

0.4

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.34

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.7

Power Dissipation (PD)[W]

1

Drive Voltage[V]

1.2

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

1x1 (t=0.45)

Common Standard

AEC-Q101 (Automotive Grade)

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특징 :

  • Leadless ultra small and exposed drain pad for excellent thermal conduction SMD plastic package (1.0×1.0×0.4mm)
  • Side wettable Flanks for automated optical solder inspection (AOI). Tin-plated 100% solderable side pads guarantees Min.125µm
  • AEC-Q101 qualified
  • ESD protection up to 2kV (HBM)
  • Very fast switching
  • Ultra low voltage drive (2.5V drive)

Supporting Information

 

개요

로옴의 1mm×1mm 초소형 MOSFET는 독자적인 공법을 사용한 Wettable Flank 형성 기술※1을 도입함으로써, 1.0mm×1.0mm 사이즈로는 업계 최고 수준인 패키지 측면의 전극 부분 높이 125μm를 보증합니다. 고품질이 요구되는 자동차 관련 기기에서 중요시되는, 부품 실장 후의 자동 광학 검사 (이하, AOI※2)에서 매우 높은 솔더 실장 신뢰성을 실현합니다. 또한, 새로운 하면전극 패키지를 채용함으로써, 일반적으로 트레이드 오프 관계인 소형화와 고방열화를 동시에 실현하여, 기판의 고밀도화가 가속화되는 자동차 ECU 및 첨단 운전 지원 시스템 (ADAS) 관련 기기 등에 최적입니다.

배경

최근 자동차의 전장화에 따라, 자동차 1대당 탑재되는 전자부품, 반도체 부품수는 증가하는 경향이 있습니다. 따라서, 한정된 스페이스에 많은 부품이 실장되어, 부품의 고밀도화가 가속화되고 있습니다. 예를 들어, 자동차 ECU 1개당 반도체와 적층 세라믹 콘덴서의 평균 탑재수는 2019년에 186개였지만, 2025년에는 230개로 30% 가까이 증가할 것으로 예상되고 있습니다. 한편 고밀도화가 가속화되는 이러한 차량용 어플리케이션에 있어서 소형화에 대한 시장 요구도 높아짐에 따라, 소형과 고방열을 동시에 실현할 수 있는 하면전극 패키지의 검토가 추진되고 있습니다.
그러나, 차량용 부품에 있어서는 신뢰성 확보를 위해 부품 실장 후에 AOI가 실시되고 있지만, 하면전극 패키지는 전극이 하면에만 있으므로 솔더링 상태의 확인이 어려운 관계로, 자동차 기준에서의 AOI가 어려웠습니다.

신제품은 로옴의 독자적인 Wettable Flank 기술을 통해 이러한 과제를 해결하여 오토모티브용으로는 업계 최소 클래스인 MOSFET를 실현함으로써, 자동차기기 메이커에서도 채용이 추진되고 있습니다. 로옴은 향후 MOSFET뿐만 아니라, 바이폴라 트랜지스터 및 다이오드에 있어서도 제품 라인업을 확충해 나갈 것입니다.

(※2020년 10월 6일 로옴 조사)

오토모티브용 초소형 MOSFET 「RV8C010UN」「RV8L002SN」「BSS84X」의 메리트 : 패키지 측면 전극 부분의 높이 125μm 이상 확보로, 실장 시인성 향상

특징

1. 독자적인 공법을 사용한 Wettable Flank 형성 기술로, 패키지 측면의 전극 부분 높이 125μm 보증

기존 기술의 하면전극 패키지는 리드 프레임 측면에 도금 가공을 할 수 없으므로, 자동차기기에서 필요시되는 솔더 높이를 확보할 수 없어 AOI가 어려웠습니다. 신제품은 로옴의 독자적인 Wettable Flank 형성 기술을 통해 리드 프레임 상한까지의 도금 가공을 실현하여, 1.0mm×1.0mm 사이즈로 업계 최고 수준인 패키지 측면 전극 부분의 높이 125μm를 보증합니다. 하면전극 패키지에서도 안정된 솔더 fillet 형성이 가능하여, 부품 실장 후의 AOI에서 솔더링 상태를 확실하게 확인할 수 있습니다.

신제품의 실장 시 단면도

2. 초소형 · 고방열 MOSFET로의 대체 사용으로 기판의 고밀도화에 대응

신제품은 2.9mm×2.4mm 사이즈 (SOT-23 패키지)와 동등한 성능을 1.0mm×1.0mm 사이즈 (DFN1010 패키지)로 실현함으로써, 약 85%의 실장 면적 삭감이 가능합니다. 또한, 고방열 하면전극을 채용함으로써, 통상적으로 소형화하면 저하되는 방열성을 SOT-23 패키지 대비 65% 향상시킬 수 있습니다. 소형화와 고방열화를 동시에 실현함으로써, 기능의 증가에 따른 기판의 고밀도화가 가속화되는 자동차 ECU 및 ADAS 관련 기기 등의 어플리케이션에 최적입니다.

고방열성 및 소형 패키지 실현

라인업

품명극성
[ch]
드레인
·
소스 간
내압
VDSS
[V]
드레인
전류
ID
[A]
구동
전압
[V]
드레인 · 소스 간 ON 저항 RDS(on)[mΩ]
@VGS=10V@VGS=4.5V@VGS=4.0V@VGS=2.5V@VGS=1.8V@VGS=1.5V@VGS=1.2V
Typ.Max.Typ.Max.Typ.Max.Typ.Max.Typ.Max.Typ.Max.Typ.Max.

RV8C010UN
N201.01.2--340470--4005604706505408107001050

RV8L002SN
N600.252.5170024002100300023003200300012000------

BSS84X
P-60-0.25-4.52800530035006400----------

어플리케이션 예

스위칭 용도 및 역접속 보호 용도에서 범용적으로 사용 가능

  • 자동 운전 제어 ECU
  • 엔진 컨트롤 ECU
  • ADAS 관련 기기
  • 카 인포테인먼트
  • 드라이브 레코더

용어 설명

※1 : Wettable Flank 형성 기술
QFN 및 DFN 등의 하면전극 패키지에서 리드 프레임의 측면에 도금 가공을 하는 기술. 솔더링 특성을 향상시킬 수 있다.

※2 : AOI (Automated Optical Inspection)
실장 기판을 카메라로 촬상하여 자동적으로 부품의 결락이나 품질의 결함, 솔더링 상태 등을 검사한다.