저속 스위칭용 600V IGBT 인텔리전트 파워 모듈 (IPM)

게이트 드라이버, Bootstrap 다이오드, IGBT, 회생용 패스트 리커버리 다이오드를 1패키지에 탑재한 인텔리전트 파워 모듈 (IPM)입니다. 컴프레서 구동과 같은 저속 스위칭 (~6kHz) 용도로, 도통 손실을 저감한 저포화 전압 IGBT를 채용하였습니다. 고속 스위칭으로 구동하는 경우에는 고속 스위칭용 시리즈를 검토하여 주십시오.

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* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다.
이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.

Product Detail

형명 | BM63364S-VA
상태 | 추천품
패키지 | HSDIP25
포장 수량 | 60
최소 포장 단위 | 60
포장 사양 | Tube
RoHS | Yes

사양 :

Power Device




IC [A]


Vce(sat) [V]


Reccomended Switching Frequency [kHz]


Isolation Voltage [Vrms]


Storage Temperature (Min.)[°C]


Storage Temperature (Max.)[°C]


특징 :

  • 3phase DC/AC Inverter
  • 600V/15A
  • Low Low Side IGBT Open Emitter
  • Built-in Bootstrap Diode
  • High Side IGBT Gate Driver (HVIC) : SOI (Silicon On Insulator) Process, Drive Circuit, High Voltage Level Shifting, Current Limit for Bootstrap Diode, Control Supply Under-Voltage Locked Out (UVLO)
  • Low Side IGBT Gate Driver (LVIC) : Drive Circuit, Short Circuit Current Protection (SCP), Control Supply Under Voltage Locked Out (UVLO), Thermal Shutdown (TSD)
  • Fault Signal (LVIC) Corresponding to SCP (Low Side IGBT), TSD, UVLO Fault
  • Input Interface 3.3V, 5V Line

Design Resources


Technical Articles

Schematic Design & Verification

  • Method for Monitoring Switching Waveform

Thermal Design

  • Method for Calculating Junction Temperature from Transient Thermal Resistance Data
  • Notes for Temperature Measurement Using Thermocouples
  • Notes for Temperature Measurement Using Forward Voltage of PN Junction

Packaging & Quality

Package Information

  • Package Information
  • Anti-Whisker formation

Manufacturing Data

  • Reliability Test Result

Environmental Data

  • Constitution Materials List
  • About Flammability of Materials
  • Compliance of the ELV directive
  • About Non-use SVHC under Reach Regulation : Please contact us by filling in the form.

Export Information

  • About Export Administration Regulations (EAR)