SG6612WN
단락 내량 5µs, 650V 50A, IGBT Bare Die
SG6612WN
SG6612WN
단락 내량 5µs, 650V 50A, IGBT Bare Die
Application : General Inverter, UPS, Power Conditioner, Welding
Bare Die 판매에 대해서는 로옴 영업으로 별도 문의하여 주십시오. 현재, 온라인 판매는 실시하고 있지 않습니다.
Product Detail
사양 :
Series
T: For inverter (tsc 5µs)
VCES [V]
650
IC(Nominal) [A] / IF(Nominal) [A]
50
VCE(sat) (Typ.) [V]
1.65
tsc(Min.) [us]
5
Operating Temperature (Min.)[°C]
-40
Operating Temperature (Max.)[°C]
175
특징 :
- Trench Light Punch Through Type
- Low Collector - Emitter Saturation Voltage
- Low Switching Loss
- Short Circuit Withstand Time 5µs
