RGTV80TS65
단락 내량 2µs, 650V 40A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
RGTV80TS65
단락 내량 2µs, 650V 40A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
RGTV80TS65는 Low VCE(sat), 낮은 스위칭 손실의 IGBT입니다. PFC, 태양광 인버터, UPS, 용접기, IH 등의 어플리케이션에 최적입니다. RGTV 시리즈는 단락 내량 2μs (Min)와 동시에 적은 스위칭 손실을 실현하였습니다. 또한, 스위칭 속도가 고속이라는 점도 특징입니다.
Product Detail
사양 :
Series
TV: For inverter (tsc 2µs)
VCES [V]
650
IC(100°C)[A]
40
VCE(sat) (Typ.) [V]
1.5
tf(Typ.) [ns]
45
tsc(Min.) [us]
2
BVCES (Min.)[V]
650
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
16x21 (t=5.2)
특징 :
- Low Collector - Emitter Saturation Voltage
- High Speed Switching & Low Switching Loss
- Short Circuit Withstand Time 2μs
- Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant