RGTH50TS65D
고속 스위칭 타입, 650V 25A, FRD 내장, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
RGTH50TS65D
고속 스위칭 타입, 650V 25A, FRD 내장, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
로옴의 IGBT (절연 게이트 타입 바이폴라 트랜지스터) 제품은 폭넓은 고전압 · 대전류 어플리케이션의 고효율화와 에너지 절약화에 기여합니다.
Product Detail
사양 :
Series
TH: High speed SW
VCES [V]
650
IC(100°C)[A]
25
VCE(sat) (Typ.) [V]
1.6
tf(Typ.) [ns]
50
Built-in Diode
FRD
Pd [W]
174
BVCES (Min.)[V]
650
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
15.94x20.95 (t=5.02)
특징 :
1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage2) High Speed Switching
3) Low Switching Loss & Soft Switching
4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN - Series)
5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant
