신규 설계 비추천
RGTH50TK65D
고속 스위칭 타입, 650V 25A, FRD 내장, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
RGTH50TK65D
신규 설계 비추천
RGTH50TK65D
고속 스위칭 타입, 650V 25A, FRD 내장, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
기존 고객을 서포트하기 위해 생산하는 제품입니다. 신규 설계용으로는 판매하지 않습니다.
Product Detail
형명 | RGTH50TK65DGC11
상태 |
신규 설계 비추천
패키지 |
TO-3PFM
포장 사양 | Tube
포장 수량 | 450
최소 포장 단위 | 450
RoHS |
Yes
사양 :
Series
TH: High speed SW
VCES [V]
650
IC(100°C)[A]
16
VCE(sat) (Typ.) [V]
1.6
tf(Typ.) [ns]
50
Built-in Diode
FRD
Pd [W]
59
BVCES (Min.)[V]
650
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
21.0x16.0 (t=5.2)
특징 :
- Low Collector-Emitter Saturation Voltage
- High Speed Switching
- Low Switching Loss & Soft Switching
- Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN-Series)
- Pb-free Lead Plating; RoHS Compliant
