RGT50NS65D(TO-262)

단락 내량 5µs, 650V 25A, FRD 내장, TO-262, Field Stop Trench IGBT
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RGT50NS65D(TO-262)

RGT50NS65D(TO-262)
단락 내량 5µs, 650V 25A, FRD 내장, TO-262, Field Stop Trench IGBT

로옴의 IGBT (절연 게이트 타입 바이폴라 트랜지스터) 제품은 폭넓은 고전압 · 대전류 어플리케이션의 고효율화와 에너지 절약화에 기여합니다.

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* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다.
이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
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Product Detail

 
형명 | RGT50NS65DGC9
상태 | 구입 가능
패키지 | TO-262
포장 수량 | 1000
최소 포장 단위 | 1000
포장 사양 | Tube
RoHS | Yes

사양 :

Series

T: For inverter (tsc 5µs)

VCES [V]

650

IC(100°C)[A]

25

VCE(sat) (Typ.) [V]

1.65

tf(Typ.) [ns]

65

tsc(Min.) [us]

5

Built-in Diode

FRD

Pd [W]

194

BVCES (Min.)[V]

650

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Package Size [mm]

10.1x9 (t=4.7)

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특징 :

  • Low Collector-Emitter Saturation Voltage
  • Low Switching Loss
  • Short Circuit Withstand Time 5µs
  • Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN-Series)
  • Pb-free Lead Plating; RoHS Compliant
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