RGT40NS65D(LPDS)
단락 내량 5µs, 650V 20A, FRD 내장, LPDS, Field Stop Trench IGBT
RGT40NS65D(LPDS)
단락 내량 5µs, 650V 20A, FRD 내장, LPDS, Field Stop Trench IGBT
로옴의 IGBT (절연 게이트 타입 바이폴라 트랜지스터) 제품은 폭넓은 고전압 · 대전류 어플리케이션의 고효율화와 에너지 절약화에 기여합니다.
Product Detail
사양 :
Series
T: For inverter (tsc 5µs)
VCES [V]
650
IC(100°C)[A]
20
VCE(sat) (Typ.) [V]
1.65
tf(Typ.) [ns]
60
tsc(Min.) [us]
5
Built-in Diode
FRD
Pd [W]
161
BVCES (Min.)[V]
650
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
13.1x10.1 (t=4.7)
특징 :
1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage2) Low Switching Loss
3) Short Circuit Withstand Time 5us
4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN - Series)
5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant