신규 설계 비추천
RGT20NL65
단락 내량 5µs, 650V 10A, LPDL, Field Stop Trench IGBT
RGT20NL65
신규 설계 비추천
RGT20NL65
단락 내량 5µs, 650V 10A, LPDL, Field Stop Trench IGBT
기존 고객을 서포트하기 위해 생산하는 제품입니다. 신규 설계용으로는 판매하지 않습니다.
Product Detail
형명 | RGT20NL65GTL
상태 |
신규 설계 비추천
패키지 |
LPDL (TO-263L)
포장 사양 | Taping
포장 수량 | 1000
최소 포장 단위 | 1000
RoHS |
Yes
사양 :
Series
T: For inverter (tsc 5µs)
VCES [V]
650
IC(100°C)[A]
10
VCE(sat) (Typ.) [V]
1.65
tf(Typ.) [ns]
104
tsc(Min.) [us]
5
Pd [W]
106
BVCES (Min.)[V]
650
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
15.1x10.1 (t=4.7)
특징 :
- Low Collector - Emitter Saturation Voltage
- Low Switching Loss
- Short Circuit Withstand Time 5μs
- Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant
