RGT20NL65
단락 내량 5µs, 650V 10A, LPDL, Field Stop Trench IGBT
RGT20NL65
RGT20NL65
단락 내량 5µs, 650V 10A, LPDL, Field Stop Trench IGBT
RGT20NL65는 Low VCE(sat) · 낮은 스위칭 손실의 IGBT입니다. 인버터, UPS, 파워 컨디셔너, 용접기 등의 어플리케이션에 최적입니다.
Product Detail
사양 :
Series
T: For inverter (tsc 5µs)
VCES [V]
650
IC(100°C)[A]
10
VCE(sat) (Typ.) [V]
1.65
tf(Typ.) [ns]
104
tsc(Min.) [us]
5
Pd [W]
106
BVCES (Min.)[V]
650
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
10.1x15.1 (t=4.7)
특징 :
- Low Collector - Emitter Saturation Voltage
- Low Switching Loss
- Short Circuit Withstand Time 5μs
- Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant
