RGA00TS65EHR
7μs 단락 내량, 650V 53A, FRD 내장, TO-247N, 오토모티브용 Field Stop Trench IGBT
RGA00TS65EHR
7μs 단락 내량, 650V 53A, FRD 내장, TO-247N, 오토모티브용 Field Stop Trench IGBT
RGA00TS65EHR은 낮은 스위칭 손실과 낮은 도통 손실을 특징으로 하는 IGBT입니다. 오토모티브용 전기 컴프레서 및 HV 히터, 산업용 인버터에 이상적입니다.
Product Detail
사양 :
Series
A: For inverter (tsc 7-10µs)
VCES [V]
650
IC(100°C)[A]
53
VCE(sat) (Typ.) [V]
1.55
tf(Typ.) [ns]
83
tsc(Min.) [us]
7
Built-in Diode
FRD
Pd [W]
245
BVCES (Min.)[V]
650
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
21.0x16.0 (t=5.2)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
특징 :
- AEC-Q101 규격 준거
- 단락 내량 7μs
- 낮은 컬렉터-에미터 포화 전압
- 초고속, 소프트 리커버리 FRD 내장
- Pb-free 리드 도금 ; RoHS 준수
