GNP2130TEC-Z
EcoGaN™, 650V 14.5A DFN8080CK, E-mode Gallium-Nitride(GaN) HEMT
GNP2130TEC-Z
EcoGaN™, 650V 14.5A DFN8080CK, E-mode Gallium-Nitride(GaN) HEMT
GNP2130TEC-Z는 업계 최고 수준의 FOM(Ron*Ciss, Ron*Coss)을 달성한 650V GaN HEMT입니다. 낮은 ON 저항과 고속 스위칭의 장점을 살려 전력 변환 효율 및 소형화에 기여하는 EcoGaN™ 시리즈 제품입니다. 고신뢰성 설계를 위해 ESD 보호 기능이 내장되어 있습니다. 또한, 다용도 패키지는 뛰어난 방열성을 제공하며 실장을 용이하게 합니다. GaN HEMT 성능을 향상시키는 게이트 드라이버를 찾고 계십니까? → GaN용 게이트 드라이버
Product Detail
사양 :
VDS [V]
650
IDS [A]
14.5
VGS Rating [V]
6.5
RDS(on) [mΩ]
130
Qg [nC]
2.8
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Dimensions [mm]
8.0x8.0 (t=1.0)
특징 :
- 650V E-mode GaN HEMT
- 130mΩ 저항
- 2.8nC 게이트 전하
레퍼런스 디자인 / 어플리케이션 평가 Kit
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- Evaluation Board - GNP2130TEC-1-EVK-001
In order to take advantage of good switching performance and heat dissipation for GaN power devices, it is necessary to evaluate them under various drive conditions, but these evaluations are not easy. The EVK has been released to evaluate the switching performance.
