YQ3VWM10BTF
Trench MOS 구조 100V 3A PMDE 오토모티브용 고효율 쇼트키 배리어 다이오드
YQ3VWM10BTF
Trench MOS 구조 100V 3A PMDE 오토모티브용 고효율 쇼트키 배리어 다이오드
YQ3VWM10BTF는 낮은 VF와 낮은 IR의 트레이드오프를 개선하도록 설계된 고효율 쇼트키 배리어 다이오드입니다. 낮은 VF로 고온에서 안정적인 동작을 실현합니다. 스위칭 전원, 프리휠 다이오드, 역극성 보호 애플리케이션에 이상적입니다.
Product Detail
사양 :
Configuration
Single
Package Code
PMDE
Mounting Style
Surface mount
Number of terminal
2
VRM[V]
100
Reverse Voltage VR[V]
100
Average Rectified Forward Current IO[A]
3
IFSM[A]
30
Forward Voltage VF(Max.)[V]
0.88
IF @ Forward Voltage [A]
3
Reverse Current IR(Max.)[mA]
0.01
VR @ Reverse Current[V]
100
Tj[℃]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
2.5x1.3 (t=1.0)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
특징 :
- 고신뢰성
- 소형 전원 몰드 타입
- 낮은 VF 및 낮은 IR
- 낮은 캐패시턴스