YQ3VWM10B
트렌치 MOS 구조, 100V, 3A, PMDE, 고효율 SBD
YQ3VWM10B
트렌치 MOS 구조, 100V, 3A, PMDE, 고효율 SBD
YQ3VWM10B는 낮은 VF와 낮은 IR의 트레이드오프를 개선하도록 설계된 고효율 쇼트키 배리어 다이오드입니다. 낮은 VF를 통해 고온에서 안정적인 작동을 달성합니다. 스위칭 전원 공급 장치, 프리휠 다이오드 및 역극성 보호 애플리케이션에 이상적입니다.
Product Detail
사양 :
Configuration
Single
Package Code
PMDE
Mounting Style
Surface mount
Number of terminal
2
VRM[V]
100
Reverse Voltage VR[V]
100
Average Rectified Forward Current IO[A]
3
IFSM[A]
30
Forward Voltage VF(Max.)[V]
0.88
IF @ Forward Voltage [A]
3
Reverse Current IR(Max.)[mA]
0.01
VR @ Reverse Current[V]
100
Tj[℃]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
2.5x1.3 (t=1.0)
특징 :
- 높은 신뢰성
- 소형 전력 몰드 타입
- 낮은 VF 및 낮은 IR
- 낮은 정전용량
Videos & Catalogs
