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로옴, 차세대 800VDC 아키텍처용 전원 솔루션 화이트 페이퍼 발행
~ GW (기가와트) 급 AI 인프라를 실현하는 800VDC 구상에 기여 ~

2025년 10월 14일

로옴은 이노베이션을 주도하는 반도체 업계의 주요 기업으로서 차세대 800VDC 아키텍처를 기반으로 하는 AI 데이터 센터용 첨단 전원 솔루션에 대해 해설한 화이트 페이퍼를 발행하였습니다.

본 화이트 페이퍼는 2025년 6월에 발표한 협업의 일환으로서 작성한 것으로, AI 인프라 전체에 대한 800VDC 전력 공급을 서포트하는 최적의 전원 솔루션에 대해 자세히 해설한 자료입니다.

800VDC 아키텍처는 고효율 및 확장성이 높은 전력 공급 시스템으로, GW (기가와트) 급의 AI 팩토리 실현도 가능하여, 향후 데이터 센터 설계에 획기적인 전환을 가져올 것으로 기대하고 있습니다.
로옴은 실리콘 (Si)과 더불어, 실리콘 카바이드 (SiC) 및 질화 갈륨 (GaN)까지 폭넓은 파워 디바이스를 구비하고 있으며, 이러한 파워 디바이스의 성능을 최대화하는 아날로그 IC (제어 IC 및 전원 IC)의 기술 개발력을 보유한 세계 유수의 기업입니다.

이번 화이트 페이퍼는 로옴이 자랑하는 다양한 파워 디바이스 및 아날로그 IC 기술과 더불어, 열 설계 등의 시뮬레이션 및 보드 설계, 실제 채용 사례 등 종합적인 전원 솔루션에 대해 게재하였습니다.

＜화이트 페이퍼 다운로드＞

＜이번 화이트 페이퍼의 포인트＞

・ AI 데이터 센터에서는 랙 (rack) 당 소비전력 급증으로 기존의 48V / 12V DC 전력 공급 방식은 한계에 도달했다.
・ 800VDC 아키텍처로의 이행은 데이터 센터의 효율, 전력 밀도, 지속 가능성을 대폭 향상시킨다.
・ 800VDC의 경우, 기존 서버 랙 내에서 실행하는 교류 전력에서 직류로의 변환 (PSU)을 독립된 파워 랙 내부에서 실행하게 된다.
・ 800VDC 아키텍처에는 SiC나 GaN이 반드시 필요하다. 파워 랙 부분의 AC-DC 변환부는 IT 랙 외부로 이설됨으로써 한층 더 고효율을 실현할 수 있는 토폴로지가 중요시된다. 반면에, IT 랙 부분의 DC-DC 변환부는 GPU의 집적도를 높이기 위해 높은 전력 밀도를 실현할 수 있는 구성이 중요시되고 있다.
・ 800VDC 아키텍처에 적용 가능한 토폴로지는 각각 변환부 (교류 전력에서 800V 직류로의 변환이나 IT 랙 부분의 800V 직류에서의 강압)에 있어서 로옴이 권장하는 SiC나 GaN을 사용함으로써 고효율화, Low Noise, 주변 부품의 소형화 등을 통해 전력 밀도를 대폭 향상시킬 수 있다.
・ 로옴의 EcoSiC™ 시리즈는 업계 최고 수준의 낮은 ON 저항을 실현하였으며, AI 서버에 적합한 상면 방열 타입의 모듈 등을 라인업으로 구비하여 높은 전력 밀도화에 기여한다. 또한, 로옴의 EcoGaN™ 시리즈는 초고속 펄스 제어 기술 「Nano Pulse Control™」을 비롯하여 GaN의 성능을 최대화시키는 아날로그 IC의 기술과 조합함으로써 고주파 제어와 게이트 구동의 안정화를 실현하여 시장에서 높은 평가를 받고 있다.

800VDC 아키텍처로의 이행은 업계 전체의 협업을 통해 실현됩니다.
로옴은 차세대 AI 팩토리를 실현하는 중요 파트너 기업으로서 NVIDIA와 같은 업계 리더를 비롯하여, 데이터 센터 사업자 및 전원 메이커와도 긴밀하게 연계해 나갈 것입니다. 일례로서 로옴은 델타 전자와 「전원 시스템용 파워 디바이스의 전략적 파트너십」을 2022년에 체결하였습니다. 특히 로옴의 강점인 SiC 및 GaN과 같은 와이드 밴드 갭 반도체의 최첨단 기술을 제공함으로써, 지속 가능하고 에너지 효율이 높은 디지털 사회의 실현에 기여해 나갈 것입니다.

EcoSiC™에 대하여

EcoSiC™

EcoSiC™는 파워 디바이스 분야에서 실리콘 (Si)을 뛰어넘는 성능으로 주목받고 있는 실리콘 카바이드 (SiC) 소재를 채용한 디바이스의 브랜드입니다. 로옴은 웨이퍼 제조에서 제조 프로세스, 패키징, 품질 관리 방법에 이르기까지 SiC의 진화에 꼭 필요한 기술을 독자적으로 개발하고 있습니다. 또한, 제조 공정에 있어서도 일관 생산 체제를 채용함으로써, SiC 분야의 리딩 컴퍼니로서 입지를 확립하였습니다.

・EcoSiC™는 로옴 주식회사의 상표 또는 등록상표입니다.

EcoGaN™에 대하여

EcoGaN™

EcoGaN™은 GaN의 성능을 최대화함으로써 어플리케이션의 저소비전력화와 주변 부품의 소형화, 설계 공수와 부품수 삭감을 동시에 실현하여 저전력 · 소형화에 기여하는 로옴의 GaN 디바이스입니다.

・EcoGaN™은 로옴 주식회사의 상표 또는 등록상표입니다.

EcoMOS™ (에코모스)에 대하여

EcoMOS™

EcoMOS™는 파워 디바이스 분야에서 저전력화가 요구되는 어플리케이션에 최적인, 로옴의 실리콘 파워 MOSFET 브랜드입니다.
가전, 산업기기, 자동차기기 등 폭넓은 어플리케이션에 탑재되는 EcoMOS™는 노이즈 성능 및 스위칭 성능 등 다양한 파라미터에 따라 라인업을 전개하여, 용도에 적합한 제품을 선택할 수 있습니다.

・EcoMOS™는 로옴 주식회사의 상표 또는 등록상표입니다.