SuperJunction MOSFET

로옴의 고전압용 (600V~) 파워 MOSFET 제품은 Super Junction 기술을 채용하고 있습니다.
이 기술을 통해 고속 스위칭과 저 ON 저항을 실현하여, 어플리케이션의 손실을 저감할 수 있습니다. 로옴은 Low Noise 사양과 고속 스위칭 사양을 각각 라인업으로 구비하여, 고객의 요구에 맞추어 제안할 수 있습니다. 또한, PrestoMOS™ 시리즈는 로옴의 특허 기술을 통해 업계 초고속 수준의 다이오드를 내장한 제품으로, 기존의 Super Junction MOSFET로는 대응이 어려운 모터 · 인버터의 에너지 절약화에 특화된 디바이스입니다.

로옴의 Super Junction MOSFET를 추천하는 3가지 이유

  • ①고객 요구에 대응하는 3가지 시리즈 전개
  • ②각 시리즈로 폭넓은 ON 저항, 패키지 타입 라인업 구비
  • ③고성능 및 고품질, 다양한 서포트 체제 구축

[신제품] 600V 내압 Super Junction MOSFET 「PrestoMOS™」 R60xxVNx 시리즈

EV 충전 스테이션, 서버, 기지국 등 대전력이 필요한 산업기기의 전원 회로 및 에어컨 등 백색가전의 모터 구동에 최적인, 업계 초고속 역회복 시간을 자랑하는 600V 내압 Super Junction MOSFET “PrestoMOS™ (프레스토모스)”에 새롭게 대전력 용도에 대응 가능한 「R60xxVNx 시리즈」를 7기종 라인업하였습니다.
상기 시리즈와 더불어, 고속 스위칭 및 업계 최고 수준의 저 ON 저항을 실현한 600V 내압 Super Junction MOSFET 「R60xxYNx 시리즈」도 2기종 라인업하였습니다.

뉴스 정보

샘플 구입

    로옴의 Super Junction MOSFET

    ●폭넓은 내압, ON 저항을 구비하고 있습니다.

     500mΩ ≤ Ron typ.500mΩ  >  Ron typ.
     Active New!Active New!
    800VR80xxKNx  R80xxKNx  
    650VR65xxENx R65xxKNx  R65xxENx R65xxKNx Under
    Planning
    600VR60xxENx R60xxKNx Under
    Development
    R60xxENx R60xxKNx R60xxYNx
    R60xxJNx Under
    Development
    R60xxJNx R60xxVNx
    • :Low Noise 사양
    • :고속 스위칭 사양
    • :고속 스위칭 사양
    • :제4세대 노멀 타입
    • :제4세대 고속 다이오드 내장

    ●6종류의 패키지에서 선택 가능합니다.

    Series패키지
    표면 실장 타입삽입 실장 타입
    TO-252
    [DPAK]
    LPTS
    [D2PAK]
    TO-220ABTO-220FMTO-3PFTO-247
    TO-252[DPAK] LPTS [D2PAK]TO-220ABTO-220FMTO-3PFTO-247
    800VR80xxKND3  R80xxKNX R80xxKNZ4
    650VR65xxEND3R65xxENJ R65xxENXR65xxENZR65xxENZ4
    R65xxKND3R65xxKNJR65xxKNX3R65xxKNXR65xxKNZR65xxKNZ4
    600V
    Gen.4
    New
    R60xxYND3  R60xxYNX3 R60xxYNXR60xxYNZ R60xxYNZ4
    R60xxVND3  R60xxVNX3 R60xxVNX R60xxVNZ4
    600V
    Gen.3
    R60xxEND3R60xxENJ R60xxENXR60xxENZR60xxENZ4
    R60xxKND3R60xxKNJ R60xxKNXR60xxKNZR60xxKNZ4
    R60xxJND3R60xxJNJ R60xxJNXR60xxJNZR60xxJNZ4
    • :Low Noise 사양
    • :고속 다이오드 내장
    • :고속 다이오드 내장
    • :제4세대 노멀 타입
    • :제4세대 고속 다이오드 내장

    ●폭넓은 용도에서 채용되고 있으며, 특성을 비롯한 품질 · 서포트 면에서도 높은 평가를 받고 있습니다.

    폭넓은 용도에서 채용되고 있으며, 특성을 비롯한 품질 · 서포트 면에서도 높은 평가를 받고 있습니다.

    간단한 검색 툴

     

    PrestoMOS™란?

    PrestoMOS™는 Super Junction MOSFET의 기생 다이오드를 로옴의 독자적인 특허 기술을 통해 고속화한 제품입니다. 일반적으로 Super Junction MOSFET의 기생 다이오드는, 그 특징적인 내부 구조가 원인이 되어 통상적인 MOSFET에 비해 리커버리 특성이 악화됩니다. 따라서, 인버터 및 브릿지 타입의 PFC 회로와 같이, 기생 다이오드를 적극적으로 사용하는 회로에서는 Super Junction MOSFET를 사용할 수 없습니다.
    그러나, PrestoMOS™는 기생 다이오드를 고속화함으로써, Super Junction MOSFET의 약점을 극복하여, 모터 구동용 인버터 및 브릿지 타입의 회로를 사용하는 어플리케이션의 에너지 절약화에 크게 기여할 수 있습니다.

    PrestoMOS란?™

    최근의 에너지 절약화 추세에 따라, 인버터에 널리 사용되는 IGBT + FRD의 조합을 PrestoMOS™로 대체하는 케이스가 증가하고 있으며, 뛰어난 리커버리 특성으로 어플리케이션의 에너지 절약화에 기여하고 있습니다.

    PrestoMOS™로 대체함으로써 에너지 절약화 가능!

    제4세대 PrestoMOS R60xxVNx 시리즈

      
    TO-252TO-220FMTO-220ABTO-247
    VDS
    (V)
    Ron typ
    (mΩ)
    Vgs=15V
    trr typ
    (ns)
    TO-252TO-220FMTO-220ABTO-247
    60025065R6013VND3R6013VNX  
    17068 NEWR6018VNX  
    12780 NEWR6024VNXNEWR6024VNX3 
    9592 NEWR6035VNXNEWR6035VNX3 
    59112 R6055VNXR6055VNX3NEWR6055VNZ4
    42125   NEWR6077VNZ4
    22167   R60A4VNZ4

    권장 어플리케이션

    • 모터 드라이브
    • 저전력 백색가전
    • 충전 스테이션
    • 태양광 배터리 파워 컨디셔너
    • 각종 전원 회로 (LLC / Totem pole PFC / Full-bridge)
    권장 어플리케이션

    업계 최고의 리커버리 특성

    로옴의 PrestoMOS™ 시리즈는, 로옴의 독자적인 특허 기술을 통해 기생 다이오드를 고속화하여, 중요 특성인 역회복 시간 (trr)에서 업계 초고속을 달성하였습니다. 일반적으로 미세화를 통한 세대 UP으로 인해 이러한 특성은 열화되지만, 로옴의 제4세대 PrestoMOS™ R60xxVNx 시리즈는 구조의 최적화를 통해 업계 초고속 trr을 유지함과 동시에 ON 저항 등의 기본 성능을 향상시켰습니다. 업계 초고속 trr을 통해, 모터 · 인버터 회로에서의 스위칭 손실을 저감할 수 있습니다. 이러한 손실을 확인하는 방법으로, 더블 펄스 시험이 널리 사용되고 있습니다 (더블 펄스 시험의 개요에 대해서는 어플리케이션 노트 참조). 하기 왼쪽 그림은 더블 펄스 시험을 통해 단펄스의 Turn-on 스위칭 손실을 확인한 결과입니다. 로옴의 PrestoMOS™ R60xxVNx 시리즈는 로옴의 기존품 및 경합 타사 제품보다 저손실임을 알 수 있습니다. 하기 오른쪽 그림은, 실제로 로옴의 PrestoMOS™ R60xxVNx 시리즈를 동기정류 Boost 회로에 사용한 경우의 효율을 확인한 결과입니다. 상기 더블 펄스 시험에서 확인한 손실의 관계와 마찬가지로, 실제 기기 평가의 결과에서도 R60xxVNx 시리즈가 가장 저손실 · 고효율임을 알 수 있습니다.

    • ■더블 펄스 시험을 통한 스위칭 손실 확인 결과

      *스위칭 비교에 사용한 제품은 모두 ON 저항 100mΩ 클래스 제품입니다. 드레인 전류가 15A인 조건에서, 게이트 저항을 변동시켰을 경우 Turn-on 시의 스위칭 손실을 확인하였습니다. 그래프의 가로축에는 각 게이트 저항에 대응하는 Turn-on 시의 전류 변화량 dif/dt의 값을 사용하였습니다.
    • ■동기정류 Boost 회로를 사용한 효율 비교 결과

      동기정류 Boost 회로를 사용한 효율 비교 결과
      **실제 기기 비교에 사용한 제품은 모두 ON 저항 60mΩ 클래스 제품입니다. 주위 온도 25℃, 입력전압 400V, L=500μH, 주파수 70kHz, Turn-off 시의 VDS 오버슈트 조건에서 측정하였습니다.

    관련 어플리케이션 노트

    고내압 및 저 ON 저항을 실현할 수 있는 Super Junction 구조는, 구조의 미세화를 통해 고성능화가 가능합니다.
    구조의 미세화를 통한 전류 밀도 향상으로, 기존 제품 (R60xxKNx) 대비 성능 지수 Ron · A 35% 저감, Ron · Qgd 30% 저감에 성공하였습니다. 이에 따라, 기존 제품과 동일한 ON 저항일 경우 스위칭 손실을 저감할 수 있어, 어플리케이션의 한차원 높은 저전력화에 기여합니다.

    • 기존 구조 신규 구조
    • 기존품 고속 스위칭 사양

    제4세대 SuperJunction MOSFET R60xxYNx 시리즈

     Package
    TO-252TO-220FMTO-220ABTO-3PFTO-247TOLL
    VDS
    (V)
    Ron typ
    (mΩ)
    Vgs=15V
    TO-252TO-220FMTO-220ABTO-247To-3PFTOLL
    600324R6010YND3R6010YNXR6010YNX3   
    215R6014YND3NEWR6014YNXR6014YNX3   
    154 NEWR6020YNXR6014YNX3 R6020YNZ4R6020YNJ2
    137 R6022YNXR6022YNX3 R6022YNZ4R6022YNJ2
    112 R6027YNXR6027YNX3 R6027YNZ4R6027YNJ2
    80 R6038YNXR6038YNX3 R6038YNZ4R6038YNJ2
    68 R6049YNXR6049YNX3 R6049YNZ4R6049YNJ2
    50 R6061YNXR6061YNX3 R6061YNZ4 
    49     R6063YNJ2
    36   R6089YNX3R6086YNZ4 
    21    R60A4YNZ4 

    권장 어플리케이션

    ・TV
    ・서버
    ・UPS
    ・태양광 발전 파워 컨디셔너
    ・LED 조명
    ・각종 전원 회로 (Boost PFC [BCM, CCM] / 3상 Vienna PFC)

    권장 어플리케이션

    업계 최고 수준의 스위칭 속도

    미세화와 더불어, 구조의 최적화를 통해 스위칭 속도에서 업계 최고 수준을 실현하였습니다. 전류 연속 모드의 PFC 등 하드 스위칭 타입 회로의 고효율화에 기여할 수 있습니다. 또한, 열 설계 · 노이즈 설계를 위한 게이트 저항 조정 시에도 타사 경합 제품과의 우위성은 변함이 없습니다.

    ■제품 단품의 스위칭 손실

    • 제품 단품의 스위칭 손실
    • ・측정 회로

      측정 회로
      *비교에 사용한 제품은 모두 ON 저항 50mΩ 클래스 제품입니다. 드레인 전류가 10A인 조건에서, Turn-off 시의 게이트 저항을 5Ω으로 고정하고, Turn-on 시의 게이트 저항을 변동시켰을 경우의 스위칭 손실을 확인하였습니다.

    기존품 대비 라인업 증강!

    각 패키지에 대해, 기존품 대비 저 ON 저항 · 대전류 제품 라인업을 구비하고 있습니다. 또한, TO220AB 및 TOLL을 새롭게 라인업에 추가함으로써, 고객의 요구에 한층 더 대응할 수 있습니다.

    • ■패키지별 최소 ON 저항치 대폭 갱신

      패키지별 최소 ON 저항치 대폭 갱신
    • ■TOLL 패키지를 새롭게 라인업으로 추가

      TOLL 패키지를 새롭게 라인업으로 추가

    관련 어플리케이션 노트

    Low Noise 사양 / 고속 스위칭 사양

    Low Noise 사양의 R6xxxENx 시리즈와 고속 스위칭 사양의 R6xxxKNx 시리즈의 2가지 타입 Super Junction MOSFET를 각각 600V 내압과 650V 내압에 따라, 각종 패키지 제품으로 구비하고 있습니다.
    R6xxxENx 시리즈는 사용의 편리성을 중시하여, 노이즈가 우려되는 어플리케이션에 최적입니다. R6xxxKNx 시리즈는 고효율을 중시하여, 고속 스위칭을 추구하는 어플리케이션에 최적입니다.
    R6xxxENx 시리즈와 R6xxxKNx 시리즈는 모두 동등한 ON 저항으로 라인업을 구비하고 있으므로, 고객의 용도에 적합한 제품을 선택할 수 있습니다.
    고속 스위칭 사양으로는 800V 제품도 라인업으로 구비하여, 업계 최고 수준의 성능을 실현하였습니다.

    Low Noise 사양 R60xxENx / R65xxENx

    R6xxxENx 시리즈는 사용의 편리성을 중시한 Low Noise 제품입니다.
    일반적으로 Super Junction MOSFET는 기존의 Planar MOSFET에서 ON 저항 및 스위칭 성능을 대폭 개선함에 따라 그에 대한 반작용으로서 노이즈 특성이 열화됩니다. 그러나, R6xxxENx 시리즈는 칩 내부의 게이트 구조를 조정함으로써 Low Noise 성능을 실현하여, 노이즈로 인한 손실을 억제할 수 있습니다.
    오디오 및 조명 등과 같이, 노이즈를 최대한으로 억제하고자 하는 어플리케이션에 최적입니다.
    또한, 이러한 Low Noise 성능은 기존의 Planar MOSFET와 동일한 수준이므로, Planar MOSFET의 대체 사용도 용이합니다.

    Low Noise 사양 R60xxENx / R65xxENx 시리즈
    VDS=600VPackage
    TO252LPTSTO220FMTO3PFTO247
    TO252LPTSTO220FMTO3PFTO247
    Ron typ
    (mΩ)
    2800R6002END3    
    900R6004END3R6004ENJR6004ENX  
    570R6007END3R6007ENJR6007ENX  
    500R6009END3R6009ENJR6009ENX  
    340R6011END3R6011ENJR6011ENX  
    260 R6015ENJR6015ENXR6015ENZ 
    170 R6020ENJR6020ENXR6020ENZR6020ENZ4
    150 R6024ENJR6024ENXR6024ENZR6024ENZ4
    115  R6030ENXR6030ENZR6030ENZ4
    92   R6035ENZR6035ENZ4
    66    R6047ENZ4
    38    R6076ENZ4

    ☆:Under Development

    VDS=650VPackage
    TO252LPTSTO220FMTO3PFTO247
    TO252LPTSTO220FMTO3PFTO247
    Ron typ
    (mΩ)
    3000R6502END3    
    955R6504END3R6504ENJR6504ENX  
    605R6507END3R6507ENJR6507ENX  
    530R6509END3R6509ENJR6509ENX  
    360R6511END3R6511ENJR6511ENX  
    280 R6515ENJR6515ENXR6515ENZ 
    185 R6520ENJR6520ENXR6520ENZR6520ENZ4
    160  R6524ENJR6524ENXR6524ENZR6524ENZ4
    125  R6530ENXR6530ENZR6530ENZ4
    98   R6535ENZR6535ENZ4
    70    R6547ENZ4
    40    R6576ENZ4

    ☆:Under Development

    고속 스위칭 R60xxKNx / R65xxKNx / R80xxKNx

    R6xxxKNx 시리즈는 고효율을 중시한 고속 스위칭 제품입니다.
    Low Noise 사양의 R6xxxENx 시리즈를 베이스로 칩 내부의 MOSFET 구조를 개선함으로써, 스위칭 속도에 영향을 미치는 Gate Charge 특성을 대폭 개선하였습니다. 이에 따라, R6xxxENx 시리즈의 사용상 편리성을 손상시키지 않고, 고속 스위칭에 의한 고효율화를 실현하였습니다.
    PFC 및 LLC 등의 회로에서 고효율화에 기여합니다.
    고속 스위칭 사양으로는 800V 제품도 라인업으로 구비하여, 업계 최고 수준의 성능을 실현하였습니다.

    고속 스위칭 사양 R60xxKNx / R65xxKNx
    VDS=600VPackage
    TO252LPTSTO220FMTO3PFTO247
    TO252LPTSTO220FMTO3PFTO247
    Ron typ
    (mΩ)
    1300R6003KND3    
    900R6004KND3R6004KNJR6004KNX  
    720R6006KND3R6006KNJR6006KNX  
    570R6007KND3R6007KNJR6007KNX  
    500R6009KND3R6009KNJR6009KNX  
    340R6011KND3R6011KNJR6011KNX  
    260 R6015KNJR6015KNXR6015KNZ 
    170 R6020KNJR6020KNXR6020KNZR6020KNZ4
    150 R6024KNJR6024KNXR6024KNZR6024KNZ4
    115  R6030KNXR6030KNZR6030KNZ4
    92   R6035KNZR6035KNZ4
    66    R6047KNZ4
    38    R6076KNZ4

    ☆:Under Development

    VDS=650VPackage
    TO252LPTSTO220FMTO3PFTO247
    TO252LPTSTO220FMTO3PFTO247
    Ron typ
    (mΩ)
    1400R6503KND3    
    955R6504KND3R6504KNJR6504KNX  
    605R6507KND3R6507KNJR6507KNX  
    530R6509KND3R6509KNJR6509KNX  
    360R6511KND3R6511KNJR6511KNX  
    280 R6515KNJR6515KNXR6515KNZ 
    185 R6520KNJR6520KNXR6520KNZR6520KNZ4
    160 R6524KNJR6524KNXR6524KNZR6524KNZ4
    125   R6530KNXR6530KNZR6530KNZ4
    98   R6535KNZR6535KNZ4
    70    R6547KNZ4
    40    R6576KNZ4

    ☆:Under Development

    VDS=800VPackage
    TO252TO220FMTO247
    TO252TO220FMTO247
    Ron typ
    (mΩ)
    7200R8001KND3  
    3500NEWR8002KND3R8002KNX 
    1500NEWR8003KND3R8003KNX 
    750NEWR8006KND3NEWR8006KNX 
    500 NEWR8009KNX 
    370 NEWR8011KNXR8011KNZ4
    200 R8019KNXR8019KNZ4
    80  R8052KNZ4

    ☆:Under Development

    제3세대 PrestoMOS™ R60xxJNx 시리즈

     Package
    TO252LPTSTO220FMTO3PFFTO247
    TO252LPTSTO220FMTO3PFTO247
    Ron typ
    (mΩ)
    1100R6004JND3R6004JNJR6004JNX  
    720R6006JND3R6006JNJR6006JNX  
    600R6007JND3R6007JNJR6007JNX  
    450R6009JND3R6009JNJR6009JNX  
    350 R6012JNJR6012JNX  
    220 R6018JNJR6018JNX  
    180 R6020JNJR6020JNXR6020JNZR6020JNZ4
    140  R6025JNXR6025JNZR6025JNZ4
    110  NEWR6030JNXR6030JNZR6030JNZ4
    90    R6042JNZ4
        NEWR6050JNZNEWR6050JNZ4
    45    NEWR6070JNZ4

    ☆:Under Development

    특징① 업계 최고의 리커버리 특성

    로옴의 PrestoMOS™ 시리즈는 로옴의 독자적인 특허 기술을 통해 기생 다이오드를 고속화함으로써, 중요 특성인 역회복 시간 (trr)에서 업계 최고 속도를 실현하였습니다. 그러나, 통상적으로 다이오드의 고속성으로 인해 급격한 전류 변화가 발생하여 발진이 커지는 경향이 있습니다.
    제3세대 PrestoMOS™ R60xxJNx 시리즈는 구조의 최적화를 통해 리커버리 시의 발진이 일어나기 어렵게 하였습니다. 따라서, 고객 측에서의 발진 대책이 용이해집니다. 리커버리 시의 발진에 대한 우려를 해소할 수 있는 제품입니다.

    특징① 업계 최고의 리커버리 특성

    특징② 사용의 편리성 추구

    로옴의 PrestoMOS™ 시리즈는 모터 구동용 인버터 및 브릿지 타입 회로에서의 사용을 가정하여 개발하였습니다. 이러한 회로에서는 높은 단락 파괴 내량과 셀프 턴 온 억제가 필요합니다.
    단락 파괴 내량이 적은 경우에는 MOSFET가 파괴될 가능성이 높고, 셀프 턴 온이 발생하는 경우에는 전력 손실이 커지게 됩니다.
    제3세대 PrestoMOS™ R60xxJNx 시리즈는 내부 구조의 조정을 통해, 이러한 2가지 과제를 해소하였습니다.
    경합 타사의 최신세대 제품과 비교해도 업계 최고 수준의 단락 파괴 내량을 실현하여, 안심하고 사용할 수 있습니다. 또한, 셀프 턴 온이 억제되어 있으므로, 동작 시의 전력 손실도 최소화할 수 있습니다.

    특징② 사용의 편리성 추구