로옴의 고전압용 (600V~) 파워 MOSFET 제품은 Super Junction 기술을 채용하고 있습니다.
이 기술을 통해 고속 스위칭과 저 ON 저항을 실현하여, 어플리케이션의 손실을 저감할 수 있습니다. 로옴은 Low Noise 사양과 고속 스위칭 사양을 각각 라인업으로 구비하여, 고객의 요구에 맞추어 제안할 수 있습니다. 또한, PrestoMOS™ 시리즈는 로옴의 특허 기술을 통해 업계 초고속 수준의 다이오드를 내장한 제품으로, 기존의 Super Junction MOSFET로는 대응이 어려운 모터 · 인버터의 에너지 절약화에 특화된 디바이스입니다.
로옴의 Super Junction MOSFET를 추천하는 3가지 이유
- ①고객 요구에 대응하는 3가지 시리즈 전개
- ②각 시리즈로 폭넓은 ON 저항, 패키지 타입 라인업 구비
- ③고성능 및 고품질, 다양한 서포트 체제 구축
[신시리즈]
업계 최고 수준의 노이즈 특성과 업계 최고속 의 역회복 시간을 동시에 실현한
600V 내압 Super Junction MOSFET 「R60xxRNx 시리즈」 개발
냉장고나 환기팬 등 노이즈 대책이 중요시되는 소형 모터 구동에 최적인 600V 내압 Super Junction MOSFET “PrestoMOS™ (프레스토모스)”로 「R60xxRNx 시리즈」 3기종을 개발하였습니다.
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[신시리즈]
업계 초고속 역회복 시간과 업계 최고 수준의 저 ON 저항을 동시에 실현한
600V 내압 Super Junction MOSFET 「R60xxVNx 시리즈」 개발
EV 충전 스테이션, 서버, 기지국 등 대전력이 필요한 산업기기의 전원 회로 및 에어컨 등 백색가전의 모터 구동에 최적인, 업계 초고속 역회복 시간을 자랑하는 600V 내압 Super Junction MOSFET “PrestoMOS™ (프레스토모스)”에 새롭게 대전력 용도에 대응 가능한 「R60xxVNx 시리즈」를 7기종 라인업하였습니다.
샘플 구입
[신패키지]
조명 전원, 펌프, 모터 등의 소형화 및 박형화에 기여!
소형 SOT-223-3 패키지 600V 내압 Super Junction MOSFET 개발
신제품은 기존의 TO-252 패키지 (6.60mm×10.00mm×2.30mm) 대비 면적 약 31%, 두께 약 27%를 삭감할 수 있어, 어플리케이션의 소형화 및 박형화에 기여합니다. 또한, TO-252 패키지의 기판 상의 배선 패턴 (랜드 패턴)을 사용할 수 있으므로, 기존의 회로 기판을 그대로 사용할 수 있습니다.
샘플 구입
로옴의 Super Junction MOSFET
●폭넓은 내압, ON 저항을 구비하고 있습니다.
500mΩ ≤ Ron typ. | 500mΩ > Ron typ. | |||||
---|---|---|---|---|---|---|
Active | Active | |||||
800V | R80xxKNx | R80xxKNx | ||||
650V | R65xxENx R65xxKNx | R65xxENx R65xxKNx | Under Planning |
|||
600V | R60xxENx R60xxKNx | Under Development |
R60xxENx R60xxKNx | R60xxYNx | ||
R60xxJNx | R60xxRNx (Low Noise) |
R60xxJNx | R60xxVNx |
- :Low Noise 사양
- :고속 스위칭 사양
- :고속 스위칭 사양
- :제4세대 노멀 타입
- :제4세대 고속 다이오드 내장
●6종류의 패키지에서 선택 가능합니다.
Series | 패키지 | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|
표면 실장 타입 | 삽입 실장 타입 | ||||||
New SOT-223-3 | TO-252 [DPAK] |
LPTS [D2PAK] |
TO-220AB | TO-220FM | TO-3PF | TO-247 | |
800V | R80xxKND3 | R80xxKNX | R80xxKNZ4 | ||||
650V | R65xxEND3 | R65xxENJ | R65xxENX | R65xxENZ | R65xxENZ4 | ||
R65xxKND3 | R65xxKNJ | R65xxKNX3 | R65xxKNX | R65xxKNZ | R65xxKNZ4 | ||
600V Gen.4 New |
R60xxYND3 | R60xxYNX3 | R60xxYNX | R60xxYNZ | R60xxYNZ4 | ||
R60xxVND3 | R60xxVNX3 | R60xxVNX | R60xxVNZ | R60xxVNZ4 | |||
600V Gen.3 |
R600xEND4 | R60xxEND3 | R60xxENJ | R60xxENX | R60xxENZ | R60xxENZ4 | |
R600xKND4 | R60xxKND3 | R60xxKNJ | R60xxKNX | R60xxKNZ | R60xxKNZ4 | ||
R600xJND4 | R60xxJND3/RND3 | R60xxJNJ | R60xxJNX | R60xxJNZ | R60xxJNZ4 |
- :Low Noise 사양
- :고속 다이오드 내장
- :고속 다이오드 내장
- :제4세대 노멀 타입
- :제4세대 고속 다이오드 내장
●폭넓은 용도에서 채용되고 있으며, 특성을 비롯한 품질 · 서포트 면에서도 높은 평가를 받고 있습니다.
간단한 검색 툴
리플렛
- 소형 SOT-223-3 패키지 채용 600V 내압 SJ MOSFET
R600xEND4 / R600xKND4 / R600xJND4 시리즈 DOWNLOAD - 노이즈 저감 타입 PrestoMOS™
R60xxRNx 시리즈 DOWNLOAD - 고속 다이오드 내장 타입 (PrestoMOS™) R60xxVNx 시리즈
저 ON 저항 타입 R60xxYNx 시리즈 DOWNLOAD - Low Noise와 고효율을 추구한 2가지 시리즈
R65xxENx/R65xxKNx 시리즈 DOWNLOAD - 인버터 탑재 에어컨의 저전력화에 기여
R60xxJNx 시리즈 DOWNLOAD
PrestoMOS™란?
PrestoMOS™는 Super Junction MOSFET의 기생 다이오드를 로옴의 독자적인 특허 기술을 통해 고속화한 제품입니다. 일반적으로 Super Junction MOSFET의 기생 다이오드는, 그 특징적인 내부 구조가 원인이 되어 통상적인 MOSFET에 비해 리커버리 특성이 악화됩니다. 따라서, 인버터 및 브릿지 타입의 PFC 회로와 같이, 기생 다이오드를 적극적으로 사용하는 회로에서는 Super Junction MOSFET를 사용할 수 없습니다.
그러나, PrestoMOS™는 기생 다이오드를 고속화함으로써, Super Junction MOSFET의 약점을 극복하여, 모터 구동용 인버터 및 브릿지 타입의 회로를 사용하는 어플리케이션의 에너지 절약화에 크게 기여할 수 있습니다.
최근의 에너지 절약화 추세에 따라, 인버터에 널리 사용되는 IGBT + FRD의 조합을 PrestoMOS™로 대체하는 케이스가 증가하고 있으며, 뛰어난 리커버리 특성으로 어플리케이션의 에너지 절약화에 기여하고 있습니다.
제4세대 PrestoMOS R60xxVNx 시리즈
권장 어플리케이션
- 모터 드라이브
- 저전력 백색가전
- 충전 스테이션
- 태양광 배터리 파워 컨디셔너
- 각종 전원 회로 (LLC / Totem pole PFC / Full-bridge)
업계 최고의 리커버리 특성
로옴의 PrestoMOS™ 시리즈는, 로옴의 독자적인 특허 기술을 통해 기생 다이오드를 고속화하여, 중요 특성인 역회복 시간 (trr)에서 업계 초고속을 달성하였습니다. 일반적으로 미세화를 통한 세대 UP으로 인해 이러한 특성은 열화되지만, 로옴의 제4세대 PrestoMOS™ R60xxVNx 시리즈는 구조의 최적화를 통해 업계 초고속 trr을 유지함과 동시에 ON 저항 등의 기본 성능을 향상시켰습니다. 업계 초고속 trr을 통해, 모터 · 인버터 회로에서의 스위칭 손실을 저감할 수 있습니다. 이러한 손실을 확인하는 방법으로, 더블 펄스 시험이 널리 사용되고 있습니다 (더블 펄스 시험의 개요에 대해서는 어플리케이션 노트 참조). 하기 왼쪽 그림은 더블 펄스 시험을 통해 단펄스의 Turn-on 스위칭 손실을 확인한 결과입니다. 로옴의 PrestoMOS™ R60xxVNx 시리즈는 로옴의 기존품 및 경합 타사 제품보다 저손실임을 알 수 있습니다. 하기 오른쪽 그림은, 실제로 로옴의 PrestoMOS™ R60xxVNx 시리즈를 동기정류 Boost 회로에 사용한 경우의 효율을 확인한 결과입니다. 상기 더블 펄스 시험에서 확인한 손실의 관계와 마찬가지로, 실제 기기 평가의 결과에서도 R60xxVNx 시리즈가 가장 저손실 · 고효율임을 알 수 있습니다.
-
■더블 펄스 시험을 통한 스위칭 손실 확인 결과
-
■동기정류 Boost 회로를 사용한 효율 비교 결과
관련 어플리케이션 노트
고내압 및 저 ON 저항을 실현할 수 있는 Super Junction 구조는, 구조의 미세화를 통해 고성능화가 가능합니다.
구조의 미세화를 통한 전류 밀도 향상으로, 기존 제품 (R60xxKNx) 대비 성능 지수 Ron · A 35% 저감, Ron · Qgd 30% 저감에 성공하였습니다. 이에 따라, 기존 제품과 동일한 ON 저항일 경우 스위칭 손실을 저감할 수 있어, 어플리케이션의 한차원 높은 저전력화에 기여합니다.
제4세대 Super Junction MOSFET R60xxYNx 시리즈
Package | |||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|
TO-252 | TO-220FM | TO-220AB | TO-3PF | TO-247 | TOLL | ||
VDS (V) |
Ron typ (mΩ) Vgs=15V |
||||||
600 | 324 | ☆R6010YND3 | ☆R6010YNX | NEWR6010YNX3 | |||
215 | NEWR6014YND3 | NEWR6014YNX | NEWR6014YNX3 | ||||
154 | NEWR6020YNX | NEWR6020YNX3 | NEWR6020YNZ4 | ☆R6020YNJ2 | |||
137 | NEWR6022YNX | NEWR6022YNX3 | NEWR6022YNZ4 | ☆R6022YNJ2 | |||
112 | NEWR6027YNX | NEWR6027YNX3 | NEWR6027YNZ4 | ☆R6027YNJ2 | |||
80 | ☆R6038YNX | NEWR6038YNX3 | NEWR6038YNZ4 | ☆R6038YNJ2 | |||
68 | NEWR6049YNX | NEWR6049YNX3 | NEWR6049YNZ4 | ☆R6049YNJ2 | |||
57 | ☆R6055YNJ2 | ||||||
50 | NEWR6061YNX | ☆R6061YNX3 | NEWR6061YNZ4 | ||||
36 | NEWR6086YNZ | NEWR6086YNZ4 | |||||
21 | ☆R60A4YNZ4 |
권장 어플리케이션
・TV
・서버
・UPS
・태양광 발전 파워 컨디셔너
・LED 조명
・각종 전원 회로 (Boost PFC [BCM, CCM] / 3상 Vienna PFC)
업계 최고 수준의 스위칭 속도
미세화와 더불어, 구조의 최적화를 통해 스위칭 속도에서 업계 최고 수준을 실현하였습니다. 전류 연속 모드의 PFC 등 하드 스위칭 타입 회로의 고효율화에 기여할 수 있습니다. 또한, 열 설계 · 노이즈 설계를 위한 게이트 저항 조정 시에도 타사 경합 제품과의 우위성은 변함이 없습니다.
■제품 단품의 스위칭 손실
-
・측정 회로
기존품 대비 라인업 증강!
각 패키지에 대해, 기존품 대비 저 ON 저항 · 대전류 제품 라인업을 구비하고 있습니다. 또한, TO220AB 및 TOLL을 새롭게 라인업에 추가함으로써, 고객의 요구에 한층 더 대응할 수 있습니다.
-
■패키지별 최소 ON 저항치 대폭 갱신
-
■TOLL 패키지를 새롭게 라인업으로 추가
관련 어플리케이션 노트
Low Noise 사양 / 고속 스위칭 사양
Low Noise 사양의 R6xxxENx 시리즈와 고속 스위칭 사양의 R6xxxKNx 시리즈의 2가지 타입 Super Junction MOSFET를 각각 600V 내압과 650V 내압에 따라, 각종 패키지 제품으로 구비하고 있습니다.
R6xxxENx 시리즈는 사용의 편리성을 중시하여, 노이즈가 우려되는 어플리케이션에 최적입니다. R6xxxKNx 시리즈는 고효율을 중시하여, 고속 스위칭을 추구하는 어플리케이션에 최적입니다.
R6xxxENx 시리즈와 R6xxxKNx 시리즈는 모두 동등한 ON 저항으로 라인업을 구비하고 있으므로, 고객의 용도에 적합한 제품을 선택할 수 있습니다.
고속 스위칭 사양으로는 800V 제품도 라인업으로 구비하여, 업계 최고 수준의 성능을 실현하였습니다.
- R60xxENx시리즈 SPICE모델 DOWNLOAD PAGE
- R65xxENx시리즈 SPICE모델 DOWNLOAD PAGE
- R60xxKNx시리즈 SPICE모델 DOWNLOAD PAGE
- R65xxKNx시리즈 SPICE모델 DOWNLOAD PAGE
- R80xxKNx시리즈 SPICE모델 DOWNLOAD PAGE
Low Noise 사양 R60xxENx / R65xxENx
R6xxxENx 시리즈는 사용의 편리성을 중시한 Low Noise 제품입니다.
일반적으로 Super Junction MOSFET는 기존의 Planar MOSFET에서 ON 저항 및 스위칭 성능을 대폭 개선함에 따라 그에 대한 반작용으로서 노이즈 특성이 열화됩니다. 그러나, R6xxxENx 시리즈는 칩 내부의 게이트 구조를 조정함으로써 Low Noise 성능을 실현하여, 노이즈로 인한 손실을 억제할 수 있습니다.
오디오 및 조명 등과 같이, 노이즈를 최대한으로 억제하고자 하는 어플리케이션에 최적입니다.
또한, 이러한 Low Noise 성능은 기존의 Planar MOSFET와 동일한 수준이므로, Planar MOSFET의 대체 사용도 용이합니다.
VDS=600V | Package | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|
New SOT-223-3 |
TO252 | LPTS | TO220FM | TO3PF | TO247 | ||
Ron typ (mΩ) |
2800 | R6002END3 | |||||
900 | NEWR6004END4 | R6004END3 | R6004ENJ | R6004ENX | |||
570 | R6007END3 | R6007ENJ | R6007ENX | ||||
500 | R6009END3 | R6009ENJ | R6009ENX | ||||
340 | R6011END3 | R6011ENJ | R6011ENX | ||||
260 | R6015ENJ | R6015ENX | R6015ENZ | ||||
170 | R6020ENJ | R6020ENX | R6020ENZ | R6020ENZ4 | |||
150 | R6024ENJ | R6024ENX | R6024ENZ | R6024ENZ4 | |||
115 | R6030ENX | R6030ENZ | R6030ENZ4 | ||||
92 | R6035ENZ | R6035ENZ4 | |||||
66 | R6047ENZ4 | ||||||
38 | R6076ENZ4 |
VDS=650V | Package | |||||
---|---|---|---|---|---|---|
TO252 | LPTS | TO220FM | TO3PF | TO247 | ||
Ron typ (mΩ) |
3000 | ☆R6502END3 | ||||
955 | R6504END3 | R6504ENJ | R6504ENX | |||
605 | R6507END3 | R6507ENJ | R6507ENX | |||
530 | R6509END3 | R6509ENJ | R6509ENX | |||
360 | R6511END3 | R6511ENJ | R6511ENX | |||
280 | R6515ENJ | R6515ENX | R6515ENZ | |||
185 | R6520ENJ | R6520ENX | R6520ENZ | R6520ENZ4 | ||
160 | R6524ENJ | R6524ENX | R6524ENZ | R6524ENZ4 | ||
125 | R6530ENX | R6530ENZ | R6530ENZ4 | |||
98 | R6535ENZ | R6535ENZ4 | ||||
70 | R6547ENZ4 | |||||
40 | R6576ENZ4 |
☆:Under Development
고속 스위칭 R60xxKNx / R65xxKNx / R80xxKNx
R6xxxKNx 시리즈는 고효율을 중시한 고속 스위칭 제품입니다.
Low Noise 사양의 R6xxxENx 시리즈를 베이스로 칩 내부의 MOSFET 구조를 개선함으로써, 스위칭 속도에 영향을 미치는 Gate Charge 특성을 대폭 개선하였습니다. 이에 따라, R6xxxENx 시리즈의 사용상 편리성을 손상시키지 않고, 고속 스위칭에 의한 고효율화를 실현하였습니다.
PFC 및 LLC 등의 회로에서 고효율화에 기여합니다.
고속 스위칭 사양으로는 800V 제품도 라인업으로 구비하여, 업계 최고 수준의 성능을 실현하였습니다.
VDS=600V | Package | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|
New SOT-223-3 |
TO252 | LPTS | TO220FM | TO3PF | TO247 | ||
Ron typ (mΩ) |
1300 | NEWR6003KND4 | R6003KND3 | ||||
900 | ☆R6004KND3 | R6004KNJ | R6004KNX | ||||
720 | NEWR6006KND4 | R6006KND3 | ☆R6006KNJ | R6006KNX | |||
570 | R6007KND3 | R6007KNJ | R6007KNX | ||||
500 | R6009KND3 | R6009KNJ | R6009KNX | ||||
340 | R6011KND3 | R6011KNJ | R6011KNX | ||||
260 | R6015KNJ | R6015KNX | R6015KNZ | ||||
170 | R6020KNJ | R6020KNX | R6020KNZ | R6020KNZ4 | |||
150 | R6024KNJ | R6024KNX | R6024KNZ | R6024KNZ4 | |||
115 | R6030KNX | R6030KNZ | R6030KNZ4 | ||||
92 | R6035KNZ | R6035KNZ4 | |||||
66 | R6047KNZ4 | ||||||
38 | R6076KNZ4 |
☆:Under Development
VDS=650V | Package | |||||
---|---|---|---|---|---|---|
TO252 | LPTS | TO220FM | TO3PF | TO247 | ||
Ron typ (mΩ) |
1400 | ☆R6503KND3 | ||||
955 | R6504KND3 | R6504KNJ | R6504KNX | |||
605 | R6507KND3 | R6507KNJ | R6507KNX | |||
530 | R6509KND3 | R6509KNJ | R6509KNX | |||
360 | R6511KND3 | R6511KNJ | R6511KNX | |||
280 | R6515KNJ | R6515KNX | R6515KNZ | |||
185 | R6520KNJ | R6520KNX | R6520KNZ | R6520KNZ4 | ||
160 | R6524KNJ | R6524KNX | R6524KNZ | R6524KNZ4 | ||
125 | R6530KNX | R6530KNZ | R6530KNZ4 | |||
98 | R6535KNZ | R6535KNZ4 | ||||
70 | R6547KNZ4 | |||||
40 | R6576KNZ4 |
☆:Under Development
제3세대 PrestoMOS™ R60xxJNx 시리즈
Package | |||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|
New SOT-223-3 |
TO252 | LPTS | TO220FM | TO3PFF | TO247 | ||
Ron typ (mΩ) |
2500 | NEWR6002JND4 | |||||
1600 | NEWR6003JND4 | ||||||
1100 | R6004JND3 | R6004JNJ | R6004JNX | ||||
720 | R6006JND3 | R6006JNJ | R6006JNX | ||||
600 | R6007JND3 | R6007JNJ | R6007JNX | ||||
450 | R6009JND3 | R6009JNJ | R6009JNX | ||||
350 | R6012JNJ | R6012JNX | |||||
220 | R6018JNJ | R6018JNX | |||||
180 | R6020JNJ | R6020JNX | R6020JNZ | R6020JNZ4 | |||
140 | R6025JNX | R6025JNZ | R6025JNZ4 | ||||
110 | R6030JNX | R6030JNZ | R6030JNZ4 | ||||
90 | R6042JNZ4 | ||||||
R6050JNZ | R6050JNZ4 | ||||||
45 | R6070JNZ4 |
☆:Under Development
특징① 업계 최고의 리커버리 특성
로옴의 PrestoMOS™ 시리즈는 로옴의 독자적인 특허 기술을 통해 기생 다이오드를 고속화함으로써, 중요 특성인 역회복 시간 (trr)에서 업계 최고 속도를 실현하였습니다. 그러나, 통상적으로 다이오드의 고속성으로 인해 급격한 전류 변화가 발생하여 발진이 커지는 경향이 있습니다.
제3세대 PrestoMOS™ R60xxJNx 시리즈는 구조의 최적화를 통해 리커버리 시의 발진이 일어나기 어렵게 하였습니다. 따라서, 고객 측에서의 발진 대책이 용이해집니다. 리커버리 시의 발진에 대한 우려를 해소할 수 있는 제품입니다.
특징② 사용의 편리성 추구
로옴의 PrestoMOS™ 시리즈는 모터 구동용 인버터 및 브릿지 타입 회로에서의 사용을 가정하여 개발하였습니다. 이러한 회로에서는 높은 단락 파괴 내량과 셀프 턴 온 억제가 필요합니다.
단락 파괴 내량이 적은 경우에는 MOSFET가 파괴될 가능성이 높고, 셀프 턴 온이 발생하는 경우에는 전력 손실이 커지게 됩니다.
제3세대 PrestoMOS™ R60xxJNx 시리즈는 내부 구조의 조정을 통해, 이러한 2가지 과제를 해소하였습니다.
경합 타사의 최신세대 제품과 비교해도 업계 최고 수준의 단락 파괴 내량을 실현하여, 안심하고 사용할 수 있습니다. 또한, 셀프 턴 온이 억제되어 있으므로, 동작 시의 전력 손실도 최소화할 수 있습니다.
제3세대 PrestoMOS™ R60xxRNx 시리즈
특징 고속 역회복 시간 특성을 계승함과 동시에, Low Noise화를 실현
기존의 라이프 타임 제어 기술을 개선하여 업계 최고속의 역회복 시간 40ns를 실현함으로써 스위칭 손실을 일반품 대비 약 30% 저감하여 기기의 전력 손실 저감에 기여합니다.
또한, 새롭게 개발한 독자적인 Super Junction 구조를 통해, 역회복 시간의 고속화와 트레이드 오프 관계인 노이즈 특성도 일반품 대비 약 15dB 저감하였습니다 (로옴 측정 조건에서 40MHz일 때의 비교). 기기의 노이즈 대책을 위한 공수 및 부품수 삭감에 기여합니다.
※2023년 3월 로옴 조사