SuperJunction MOSFET

로옴의 고전압용 (600V~) 파워 MOSFET 제품은 Super Junction 기술을 채용하고 있습니다.
이 기술을 통해 고속 스위칭과 저 ON 저항을 실현하여, 어플리케이션의 손실을 저감할 수 있습니다. 로옴은 Low Noise 사양과 고속 스위칭 사양을 각각 라인업으로 구비하여, 고객의 요구에 맞추어 제안할 수 있습니다. 또한, PrestoMOS™ 시리즈는 로옴의 특허 기술을 통해 업계 초고속 수준의 다이오드를 내장한 제품으로, 기존의 Super Junction MOSFET로는 대응이 어려운 모터 · 인버터의 에너지 절약화에 특화된 디바이스입니다.

로옴의 Super Junction MOSFET를 추천하는 3가지 이유

  • ①고객 요구에 대응하는 3가지 시리즈 전개
  • ②각 시리즈로 폭넓은 ON 저항, 패키지 타입 라인업 구비
  • ③고성능 및 고품질, 다양한 서포트 체제 구축

[신제품] 고속 다이오드 내장 600V 내압 Super Junction MOSFET 「PrestoMOS™」 R60xxJNx 시리즈

에어컨, 냉장고 등 백색가전의 모터 구동 및 EV 충전 스테이션에 최적이며, 업계 최고 속도의 역회복 시간 (trr)을 유지함과 동시에, 설계 자유도 향상을 실현하는 600V 내압의 Super Junction MOSFET (이하, SJ-MOSFET) “PrestoMOS (프레스토모스)TM”에 새롭게 「R60xxJNx 시리즈」 30기종의 라인업을 구비하였습니다.

뉴스 정보

로옴의 Super Junction MOSFET

●고객 요구에 대응하는 3가지 시리즈를 구비하고 있습니다.

시리즈 VDS
600V 650V 800V
Low Noise 사양 R60xxENx R65xxENx  
고속 스위칭 사양 R60xxKNx R65xxKNx R80xxKNx
고속 다이오드 내장
(PrestoMOSTM)
R60xxJNx    

●5종류의 패키지에서 선택 가능합니다.

시리즈 패키지
표면 실장 타입 삽입 실장 타입
TO-252
[DPAK]
LPTS
[D2PAK]
TO-220FM TO-3PF TO-247
TO-252[DPAK] LPTS [D2PAK] TO-220FM TO-3PF TO-247
Low Noise 사양
(600V/650V)
R6xxxEND3 R6xxxENJ R6xxxENX R6xxxENZ R6xxxENZ4
고속 스위칭 사양
(600V/650V)
R6xxxKND3 R6xxxKNJ R6xxxKNX R6xxxKNZ R6xxxKNZ4
고속 스위칭 사양
(800V)
R80xxKND3   R80xxKNX   R80xxKNZ4
고속 다이오드 내장
(PrestoMOSTM)
R60xxJND3 R60xxJNJ R60xxJNX R60xxJNZ R60xxJNZ4

●폭넓은 용도에서 채용되고 있으며, 특성을 비롯한 품질 · 서포트 면에서도 높은 평가를 받고 있습니다.

폭넓은 용도에서 채용되고 있으며, 특성을 비롯한 품질 · 서포트 면에서도 높은 평가를 받고 있습니다.

간단한 검색 툴

 

PrestoMOS™란?

PrestoMOS™는 Super Junction MOSFET의 기생 다이오드를 로옴의 독자적인 특허 기술을 통해 고속화한 제품입니다. 일반적으로 Super Junction MOSFET의 기생 다이오드는, 그 특징적인 내부 구조가 원인이 되어 통상적인 MOSFET에 비해 리커버리 특성이 악화됩니다. 따라서, 인버터 및 브릿지 타입의 PFC 회로와 같이, 기생 다이오드를 적극적으로 사용하는 회로에서는 Super Junction MOSFET를 사용할 수 없습니다.
그러나, PrestoMOS™는 기생 다이오드를 고속화함으로써, Super Junction MOSFET의 약점을 극복하여, 모터 구동용 인버터 및 브릿지 타입의 회로를 사용하는 어플리케이션의 에너지 절약화에 크게 기여할 수 있습니다.

PrestoMOS란?™

최근의 에너지 절약화 추세에 따라, 인버터에 널리 사용되는 IGBT + FRD의 조합을 PrestoMOS™로 대체하는 케이스가 증가하고 있으며, 뛰어난 리커버리 특성으로 어플리케이션의 에너지 절약화에 기여하고 있습니다.

PrestoMOS™로 대체함으로써 에너지 절약화 가능!

제3세대 PrestoMOS™ R60xxJNx 시리즈

  Package
TO252 LPTS TO220FM TO3PFF TO247
TO252 LPTS TO220FM TO3PF TO247
Ron typ
(mΩ)
1100 R6004JND3 R6004JNJ R6004JNX    
720 R6006JND3 R6006JNJ R6006JNX    
600 R6007JND3 R6007JNJ R6007JNX    
450 R6009JND3 R6009JNJ R6009JNX    
350   R6012JNJ R6012JNX    
220   R6018JNJ R6018JNX    
180   R6020JNJ R6020JNX R6020JNZ R6020JNZ4
140     R6025JNX R6025JNZ R6025JNZ4
110     NEWR6030JNX R6030JNZ R6030JNZ4
90         R6042JNZ4
        NEWR6050JNZ NEWR6050JNZ4
45         NEWR6070JNZ4

☆:Under Development

특징① 업계 최고의 리커버리 특성

로옴의 PrestoMOS™ 시리즈는 로옴의 독자적인 특허 기술을 통해 기생 다이오드를 고속화함으로써, 중요 특성인 역회복 시간 (trr)에서 업계 최고 속도를 실현하였습니다. 그러나, 통상적으로 다이오드의 고속성으로 인해 급격한 전류 변화가 발생하여 발진이 커지는 경향이 있습니다.
제3세대 PrestoMOS™ R60xxJNx 시리즈는 구조의 최적화를 통해 리커버리 시의 발진이 일어나기 어렵게 하였습니다. 따라서, 고객 측에서의 발진 대책이 용이해집니다. 리커버리 시의 발진에 대한 우려를 해소할 수 있는 제품입니다.

특징① 업계 최고의 리커버리 특성

특징② 사용의 편리성 추구

로옴의 PrestoMOS™ 시리즈는 모터 구동용 인버터 및 브릿지 타입 회로에서의 사용을 가정하여 개발하였습니다. 이러한 회로에서는 높은 단락 파괴 내량과 셀프 턴 온 억제가 필요합니다.
단락 파괴 내량이 적은 경우에는 MOSFET가 파괴될 가능성이 높고, 셀프 턴 온이 발생하는 경우에는 전력 손실이 커지게 됩니다.
제3세대 PrestoMOS™ R60xxJNx 시리즈는 내부 구조의 조정을 통해, 이러한 2가지 과제를 해소하였습니다.
경합 타사의 최신세대 제품과 비교해도 업계 최고 수준의 단락 파괴 내량을 실현하여, 안심하고 사용할 수 있습니다. 또한, 셀프 턴 온이 억제되어 있으므로, 동작 시의 전력 손실도 최소화할 수 있습니다.

특징② 사용의 편리성 추구

2종류의 Super Junction MOSFET

Low Noise 사양의 R6xxxENx 시리즈와 고속 스위칭 사양의 R6xxxKNx 시리즈의 2가지 타입 Super Junction MOSFET를 각각 600V 내압과 650V 내압에 따라, 각종 패키지 제품으로 구비하고 있습니다.
R6xxxENx 시리즈는 사용의 편리성을 중시하여, 노이즈가 우려되는 어플리케이션에 최적입니다. R6xxxKNx 시리즈는 고효율을 중시하여, 고속 스위칭을 추구하는 어플리케이션에 최적입니다.
R6xxxENx 시리즈와 R6xxxKNx 시리즈는 모두 동등한 ON 저항으로 라인업을 구비하고 있으므로, 고객의 용도에 적합한 제품을 선택할 수 있습니다.
고속 스위칭 사양으로는 800V 제품도 라인업으로 구비하여, 업계 최고 수준의 성능을 실현하였습니다.

Low Noise 사양 R60xxENx / R65xxENx 시리즈

R6xxxENx 시리즈는 사용의 편리성을 중시한 Low Noise 제품입니다.
일반적으로 Super Junction MOSFET는 기존의 Planar MOSFET에서 ON 저항 및 스위칭 성능을 대폭 개선함에 따라 그에 대한 반작용으로서 노이즈 특성이 열화됩니다. 그러나, R6xxxENx 시리즈는 칩 내부의 게이트 구조를 조정함으로써 Low Noise 성능을 실현하여, 노이즈로 인한 손실을 억제할 수 있습니다.
오디오 및 조명 등과 같이, 노이즈를 최대한으로 억제하고자 하는 어플리케이션에 최적입니다.
또한, 이러한 Low Noise 성능은 기존의 Planar MOSFET와 동일한 수준이므로, Planar MOSFET의 대체 사용도 용이합니다.

Low Noise 사양 R60xxENx / R65xxENx 시리즈
VDS=600V Package
TO252 LPTS TO220FM TO3PF TO247
TO252 LPTS TO220FM TO3PF TO247
Ron typ
(mΩ)
2800 R6002END3        
900 R6004END3 R6004ENJ R6004ENX    
570 R6007END3 R6007ENJ R6007ENX    
500 R6009END3 R6009ENJ R6009ENX    
340 R6011END3 R6011ENJ R6011ENX    
260   R6015ENJ R6015ENX R6015ENZ  
170   R6020ENJ R6020ENX R6020ENZ R6020ENZ4
150   R6024ENJ R6024ENX R6024ENZ R6024ENZ4
115     R6030ENX R6030ENZ R6030ENZ4
92       R6035ENZ R6035ENZ4
66         R6047ENZ4
38         R6076ENZ4

☆:Under Development

VDS=650V Package
TO252 LPTS TO220FM TO3PF TO247
TO252 LPTS TO220FM TO3PF TO247
Ron typ
(mΩ)
3000 R6502END3        
955 R6504END3 R6504ENJ R6504ENX    
605 R6507END3 R6507ENJ R6507ENX    
530 R6509END3 R6509ENJ R6509ENX    
360 R6511END3 R6511ENJ R6511ENX    
280   R6515ENJ R6515ENX R6515ENZ  
185   R6520ENJ R6520ENX R6520ENZ R6520ENZ4
160   R6524ENJ R6524ENX R6524ENZ R6524ENZ4
125     R6530ENX R6530ENZ R6530ENZ4
98       R6535ENZ R6535ENZ4
70         R6547ENZ4
40         R6576ENZ4

☆:Under Development

고속 스위칭 사양 R60xxKNx / R65xxKNx / R80xxKNx

R6xxxKNx 시리즈는 고효율을 중시한 고속 스위칭 제품입니다.
Low Noise 사양의 R6xxxENx 시리즈를 베이스로 칩 내부의 MOSFET 구조를 개선함으로써, 스위칭 속도에 영향을 미치는 Gate Charge 특성을 대폭 개선하였습니다. 이에 따라, R6xxxENx 시리즈의 사용상 편리성을 손상시키지 않고, 고속 스위칭에 의한 고효율화를 실현하였습니다.
PFC 및 LLC 등의 회로에서 고효율화에 기여합니다.
고속 스위칭 사양으로는 800V 제품도 라인업으로 구비하여, 업계 최고 수준의 성능을 실현하였습니다.

고속 스위칭 사양 R60xxKNx / R65xxKNx
VDS=600V Package
TO252 LPTS TO220FM TO3PF TO247
TO252 LPTS TO220FM TO3PF TO247
Ron typ
(mΩ)
1300 R6003KND3        
900 R6004KND3 R6004KNJ R6004KNX    
720 R6006KND3 R6006KNJ R6006KNX    
570 R6007KND3 R6007KNJ R6007KNX    
500 R6009KND3 R6009KNJ R6009KNX    
340 R6011KND3 R6011KNJ R6011KNX    
260   R6015KNJ R6015KNX R6015KNZ  
170   R6020KNJ R6020KNX R6020KNZ R6020KNZ4
150   R6024KNJ R6024KNX R6024KNZ R6024KNZ4
115     R6030KNX R6030KNZ R6030KNZ4
92       R6035KNZ R6035KNZ4
66         R6047KNZ4
38         R6076KNZ4

☆:Under Development

VDS=650V Package
TO252 LPTS TO220FM TO3PF TO247
TO252 LPTS TO220FM TO3PF TO247
Ron typ
(mΩ)
1400 R6503KND3        
955 R6504KND3 R6504KNJ R6504KNX    
605 R6507KND3 R6507KNJ R6507KNX    
530 R6509KND3 R6509KNJ R6509KNX    
360 R6511KND3 R6511KNJ R6511KNX    
280   R6515KNJ R6515KNX R6515KNZ  
185   R6520KNJ R6520KNX R6520KNZ R6520KNZ4
160   R6524KNJ R6524KNX R6524KNZ R6524KNZ4
125     R6530KNX R6530KNZ R6530KNZ4
98       R6535KNZ R6535KNZ4
70         R6547KNZ4
40         R6576KNZ4

☆:Under Development

VDS=800V Package
TO252 TO220FM TO247
TO252 TO220FM TO247
Ron typ
(mΩ)
7200 R8001KND3    
3500 NEWR8002KND3 R8002KNX  
1500 NEWR8003KND3 R8003KNX  
750 NEWR8006KND3 NEWR8006KNX  
500   NEWR8009KNX  
370   NEWR8011KNX R8011KNZ4
200   R8019KNX R8019KNZ4
80     R8052KNZ4

☆:Under Development