ROHM Product Detail

BST47T1P4K01-VC (신제품)
HSDIP20, 750V, 47A, 3상 브리지, 오토모티브/산업용 SiC 파워 모듈

BST47T1P4K01은 750V 정격의 고성능 SiC 몰드 모듈로, OBC (Onboard Charger)의 PFC 및 LLC 회로에 이상적인 6-in-1 구조로 설계되었습니다. HSDIP20은 방열 특성이 뛰어난 절연 기판을 특징으로 합니다. 이를 통해 고전력 조건에서도 안정적인 칩 온도를 유지하여 콤팩트한 형태로 고전류 처리가 가능합니다. 상면 냉각 방식의 개별 소자와 비교하여 전력 밀도가 3배 이상 높으며, 다른 DIP 모듈보다 1.4배 높습니다. PFC 애플리케이션에서는 실장 면적을 약 52% 줄여 OBC 등의 애플리케이션에서 전력 변환 회로의 소형화에 크게 기여할 수 있습니다. 모듈에 필수적인 전력 변환 회로가 내장되어 설계 부담을 줄이고 OBC 및 기타 애플리케이션에서 전력 변환 회로의 소형화를 가능하게 합니다. 차세대 오토모티브 시스템을 위한 핵심 솔루션으로서 고출력, 콤팩트한 전기 파워트레인의 개발을 지원합니다.

애플리케이션 예

  • 오토모티브 시스템: OBC (Onboard Charger), 전동 컴프레서 등.
  • 산업 기기: EV 충전 스테이션, V2X 시스템, AC 서보, 서버 전원 공급 장치, PV 인버터, 파워 컨디셔너 등.

Product Detail

 
형명 | BST47T1P4K01-VC
상태 | 추천품
패키지 | HSDIP20
포장 사양 | Corrugated Cardboard
포장 수량 | 180
최소 포장 단위 | 60
RoHS | Yes

사양 :

Drain-source Voltage[V]

750

Drain Current[A]

47

Total Power Dissipation[W]

227

Junction Temperature (Max.) [℃]

175

Storage Temperature (Min.) [℃]

-40

Storage Temperature (Max.) [℃]

125

Package

3-Phase-bridge

Package Size [mm]

38.0x31.3 (t=3.5)

Common Standard

AQG 324 (Automotive Grade)

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특징 :

  • 4세대 SiC-MOSFET가 내장된 HSDIP20 패키지
  • VDSS = 750V
  • 낮은 RDS(on)
  • 고속 스위칭 가능
  • 낮은 스위칭 손실
  • Tvjmax = 175°C
  • 콤팩트한 설계
  • 고열전도성 절연체 내장
  • NTC 온도 센서 내장
  • 4.2kV AC 1s 절연

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