ROHM Product Detail

BSM450D12P4G102

1200V, 447A, 하프 브리지, 트렌치 MOSFET SiC 파워 모듈
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BSM450D12P4G102

BSM450D12P4G102
1200V, 447A, 하프 브리지, 트렌치 MOSFET SiC 파워 모듈

BSM450D12P4G102는 SiC-UMOSFET으로 구성된 하프 브리지 모듈로서, 모터 구동, 인버터, 컨버터, 태양광 발전, 풍력 발전, 유도 가열 장비에 적합합니다.

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* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다.
이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
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Product Detail

 
형명 | BSM450D12P4G102
상태 | 추천품
패키지 | G Type
포장 사양 | Corrugated Cardboard
포장 수량 | 4
최소 포장 단위 | 4
RoHS | Yes
장기 공급 프로그램 | 10 Years

사양 :

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain Current[A]

447

Total Power Dissipation[W]

1450

Junction Temperature (Max.) [℃]

175

Storage Temperature (Min.) [℃]

-40

Storage Temperature (Max.) [℃]

125

Package

Half-Bridge

Package Size [mm]

152.0x62.0 (t=18.0)

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특징 :

  • 낮은 서지 전압, 낮은 스위칭 손실
  • 고속 스위칭 가능
  • 낮은 온도 의존성

레퍼런스 디자인 / 어플리케이션 평가 Kit

 
    • Drive Board - BSMGD3G12D24-EVK001

    • This evaluation board, BSMGD3G12D24-EVK001, is a gate driver board for full SiC Modules with the 3rd / 4th Generation SiC-MOSFET in G and E type housing. This evaluation board contains all the necessary components for optimal and safety driving the SiC module.

    • User's Guide
    • Snubber Module - MGSM1D72J2-145MH16

    • Snubber Module for BSM series (1200V, E / G type)

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