SiC 파워 모듈 - BSM180D12P3C007

로옴의 SiC-UMOSFET를 사용한 Half bridge 구성의 SiC MOSFET 모듈입니다.

SiC FundamentalsSiC Power Device Application Note

* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다. 이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
형명 | BSM180D12P3C007
상태 | 공급중
패키지 | C
포장 수량 | 12
최소 포장 단위 | 12
포장 사양 | Corrugated Cardboard
RoHS | Yes

사양 :

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain Current[A]

180.0

Total Power Dissipation[W]

880

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-40

Storage Temperature (Max.)[°C]

125

Package

Half bridge

특징 :

  • Low surge, low switching loss.
  • High-speed switching possible.
  • Reduced temperature dependance.