BSM180C12P3C202
1200V, 180A, 쵸퍼, 트렌치 MOSFET 내장 Full SiC 파워 모듈
신규 설계 비추천
BSM180C12P3C202
1200V, 180A, 쵸퍼, 트렌치 MOSFET 내장 Full SiC 파워 모듈
기존 고객을 서포트하기 위해 생산하는 제품입니다. 신규 설계용으로는 판매하지 않습니다.
Product Detail
사양 :
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain Current[A]
180
Total Power Dissipation[W]
880
Junction Temperature (Max.) [℃]
175
Storage Temperature (Min.) [℃]
-40
Storage Temperature (Max.) [℃]
125
Package
Chopper
Package Size [mm]
122.0x45.6 (t=17.5)
특징 :
- 저 서지, 낮은 스위칭 손실.
- 고속 스위칭 가능.
- 온도 의존성 감소.
레퍼런스 디자인 / 어플리케이션 평가 Kit
-
- Drive Board - BSMGD3C12D24-EVK001
This evaluation board, BSMGD3C12D24-EVK001, is a gate driver board for full SiC Modules in C type housing. This evaluation board contains all the necessary components for optimal and safety driving the SiC module.
-
- Snubber Module - MGSM1D72J2-145MH26
Snubber Module for BSM series (1200V, C type)
-
- Drive Board - TAMURA 2DU series
Drive Board for BSM series (1200V, C / E / G type)
