ROHM Product Detail

BSM180C12P3C202

1200V, 180A, 쵸퍼, 트렌치 MOSFET 내장 Full SiC 파워 모듈
Data Sheet 구입 *
BSM180C12P3C202

BSM180C12P3C202
1200V, 180A, 쵸퍼, 트렌치 MOSFET 내장 Full SiC 파워 모듈

BSM180C12P3C202는 저 서지 및 낮은 스위칭 손실을 갖는 SiC (실리콘 카바이드) 파워 모듈로서, 모터 구동, 컨버터, 태양광 발전, 풍력 발전 등에 적합합니다.

Data Sheet 구입 *
* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다.
이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
Data Sheet 구입 *

Product Detail

 
형명 | BSM180C12P3C202
상태 | 추천품
패키지 | C Type
포장 사양 | Corrugated Cardboard
포장 수량 | 12
최소 포장 단위 | 12
RoHS | Yes

사양 :

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain Current[A]

180

Total Power Dissipation[W]

880

Junction Temperature (Max.) [℃]

175

Storage Temperature (Min.) [℃]

-40

Storage Temperature (Max.) [℃]

125

Package

Chopper

Package Size [mm]

122.0x45.6 (t=17.5)

Find Similar

특징 :

  • 저 서지, 낮은 스위칭 손실.
  • 고속 스위칭 가능.
  • 온도 의존성 감소.

레퍼런스 디자인 / 어플리케이션 평가 Kit

 
    • Drive Board - BSMGD3C12D24-EVK001

    • This evaluation board, BSMGD3C12D24-EVK001, is a gate driver board for full SiC Modules in C type housing. This evaluation board contains all the necessary components for optimal and safety driving the SiC module.

    • User's Guide
    • Snubber Module - MGSM1D72J2-145MH26

    • Snubber Module for BSM series (1200V, C type)

    • Drive Board - TAMURA 2DU series

    • Drive Board for BSM series (1200V, C / E / G type)

    •
X

Most Viewed