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Silicon carbide Power Module - BSM080D12P2C008

BSM080D12P2C008 is a half bridge module consisting of SiC-DMOS and SiC SBD.

* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다. 이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
형명 | BSM080D12P2C008
상태 | 공급중
패키지 | C
포장 수량 | 12
최소 포장 단위 | 12
포장 사양 | Tray
RoHS | Yes

사양 :

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain Current[A]

80.0

Total Power Dissipation[W]

600

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-40

Storage Temperature (Max.)[°C]

125

Package

Half bridge

특징 :

  • Low surge, low switching loss.
  • High-speed switching possible.
  • Reduced temperature dependance.