ROHM Product Detail

BSM080D12P2C008
1200V, 80A, Half bridge, SiC 파워 모듈

BSM080D12P2C008은 SiC-DMOS 및 SiC SBD로 구성된 하프 브릿지 모듈입니다.

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Product Detail

 
형명 | BSM080D12P2C008
상태 | 추천품
패키지 | C Type
포장 사양 | Corrugated Cardboard
포장 수량 | 12
최소 포장 단위 | 12
RoHS | Yes

사양 :

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain Current[A]

80

Total Power Dissipation[W]

600

Junction Temperature (Max.) [℃]

175

Storage Temperature (Min.) [℃]

-40

Storage Temperature (Max.) [℃]

125

Package

Half-Bridge

Package Size [mm]

122.0x45.6 (t=17.5)

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특징 :

  • 낮은 서지, 낮은 스위칭 손실.
  • 고속 스위칭 가능.
  • 온도 의존성 감소.

레퍼런스 디자인 / 어플리케이션 평가 Kit

 
    • Drive Board - BSMGD3C12D24-EVK001

    • This evaluation board, BSMGD3C12D24-EVK001, is a gate driver board for full SiC Modules in C type housing. This evaluation board contains all the necessary components for optimal and safety driving the SiC module.

    • User's Guide
    • Snubber Module - MGSM1D72J2-145MH26

    • Snubber Module for BSM series (1200V, C type)

    • Drive Board - TAMURA 2DU series

    • Drive Board for BSM series (1200V, C / E / G type)

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