SCT4026DWA
750V, 51A, 7핀 SMD, 트렌치 구조, SiC MOSFET
SCT4026DWA
750V, 51A, 7핀 SMD, 트렌치 구조, SiC MOSFET
SCT4026DWA는 SiC (Silicon Carbide) 트렌치 MOSFET입니다. 고내압 특성, 낮은 ON 저항, 고속 스위칭 사양을 특징으로 합니다.
ROHM 제4세대 SiC MOSFET의 장점
이 시리즈는 기존 제품에 비해 ON 저항이 약 40% 감소하고 스위칭 손실이 약 50% 감소했습니다. 15V 게이트-소스 전압으로 애플리케이션 설계를 더욱 쉽게 합니다.
Product Detail
사양 :
Drain-source Voltage[V]
750
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
26
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
51
Total Power Dissipation[W]
150
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
15.4x10.2 (t=4.7)
특징 :
- 낮은 ON 저항
- 고속 스위칭 사양
- 고속 역회복
- 병렬화 용이
- 심플 드라이브
- 무연 도금 ; RoHS 준거
- 넓은 연면 거리 = 최소 4.7mm
