BD5213G-1
Nano Energy™, 1.3V, 지연 시간 자유 설정 Voltage Detector
BD5213G-1
Nano Energy™, 1.3V, 지연 시간 자유 설정 Voltage Detector
ROHM의 지연 시간 자유 설정 CMOS Voltage Detector IC는 CMOS 공정을 사용하여 높은 정밀도와 초저 소비전류를 특징으로 합니다. 지연 시간 설정은 외부 커패시터로 제어할 수 있습니다. 라인업에는 N채널 오픈 드레인 출력(BD52xxG-1)이 포함됩니다. 이 디바이스는 0.9V에서 5.0V까지 0.1V 증가 단위로 특정 검출 전압에 사용할 수 있습니다. 지연 시간은 -40°C ~ 85°C의 전체 동작 온도 범위에서 ±30%의 정확도를 가집니다.
Product Detail
사양 :
Under Voltage Detection Voltage [V] (typ.)
1.3
VDET Precision [%]
±1±5mV
Reset Active Voltage Range [V]
0.8 to 6
Output Types
Open drain
Reset Delay Timer
Adjustable Delay
Reset Active State
Low
Manual Reset
No
Watchdog Timer
No
Auto Motive
No
Circuit Current (ON) [µA]
0.23
Circuit Current (OFF) [µA]
0.27
Hysteresis Voltage [V]
VDET x 0.05
L Output Current (LowVol) [mA]
1
L Output Current (HighVol) [mA]
2
Operating Temperature (Min.)[°C]
-40
Operating Temperature (Max.)[°C]
85
Package Size
2.9x2.8 (t=1.25)
특징 :
- Nano Energy™
- 외부 커패시터로 제어되는 지연 시간 설정
- N채널 오픈 드레인 출력 타입
- 초소형, 경량, 박형 패키지
- SSOP5 패키지는 SOT-23-5 (JEDEC)와 유사합니다.
Videos & Catalogs
