ROHM Product Detail

BV1LY010FPJ-M (개발중)
오토모티브용 IPD 1ch 로우 사이드 스위치

BV1LY010FPJ-M은 Dual TSD®, OCP, 액티브 클램프 기능을 내장한 오토모티브용 1ch 로우 사이드 스위치 IC입니다.

Product Detail

 
형명 | BV1LY010FPJ-ME1
상태 | 개발중
패키지 | TO252-J3
포장 사양 | Taping
포장 수량 | 2000
최소 포장 단위 | 2000
RoHS | Yes

기능 안전:

카테고리 : FS supportive
A product that has been developed for automotive use and is capable of supporting safety analysis with regard to the functional safety.

사양 :

Type

Low side switches

Generation

GEN2

Qualification Grade

AEC-Q100 (Automotive Grade)

Feature

Standard / Error Flag

Overcurrent Protection

Limitation

Thermal Shut Down

Self-restart

Channel Number [ch]

1

ON Resistance(Typ.)[mΩ]

10

ON Resistance(Max.)[mΩ]

25

DC Output Current @Ta=85℃ [A]

10.6

Supply Voltage(Min.)[V]

3.5

Supply Voltage(Max.)[V]

5.5

Drain-Source Voltage (Max.)[V]

38

Single Pulse Energy 25°C [mJ]

230

Over Current Limit (Min.)[A]

48

Under voltage Detection Level(Max.)[V]

3.5

Current consumption(Typ.)[µA]

85

Junction Temperature Tj (Min.)[°C]

-40

Junction Temperature Tj (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

6.6x10.1 (t=2.5)

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특징 :

  • Dual TSD® (본 IC는 서멀 셧다운 (접합 온도 검출) 및 ΔTj Protection (Power-MOS 급격한 온도 상승 검출) 기능을 탑재)
  • AEC-Q100 Qualifies (Grade 1)
  • 내장형 과전류 보호 기능 (OCP)
  • 내장형 액티브 클램프 기능
  • CMOS 로직 IC 등에서 직접 제어 가능
  • On Resistance RDS(ON) = 10mΩ (Typ) (VIN = 5V, IOUT = 2.4A, Tj = 25℃일 때)
  • 제어 블록 (CMOS)과 Power MOS FET를 단일 칩에 실장한 모노리식 파워 매니지먼트 IC
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