ROHM Product Detail

BV1LA025EFJ-C
오토모티브 IPD 1ch 로우 사이드 스위치

BV1LA025EFJ-C는 Dual TSD, OCP 및 액티브 클램프 기능이 내장된 오토모티브용 1ch 로우 사이드 스위치 IC입니다.

Product Detail

 
형명 | BV1LA025EFJ-CE2
상태 | 추천품
패키지 | HTSOP-J8
포장 사양 | Taping
포장 수량 | 2500
최소 포장 단위 | 2500
RoHS | Yes

기능 안전:

카테고리 : FS supportive
A product that has been developed for automotive use and is capable of supporting safety analysis with regard to the functional safety.

사양 :

Type

Low side switches

Generation

GEN2

Qualification Grade

AEC-Q100 (Automotive Grade)

Feature

Standard / Error Flag

Overcurrent Protection

Limitation

Thermal Shut Down

Self-restart

Channel Number [ch]

1

ON Resistance(Typ.)[mΩ]

25

ON Resistance(Max.)[mΩ]

62.5

DC Output Current @Ta=85℃ [A]

6

Supply Voltage(Min.)[V]

3.5

Supply Voltage(Max.)[V]

5.5

Drain-Source Voltage (Max.)[V]

42

Single Pulse Energy 25°C [mJ]

220

Over Current Limit (Min.)[A]

9

Under voltage Detection Level(Max.)[V]

3.5

Current consumption(Typ.)[µA]

85

Junction Temperature Tj (Min.)[°C]

-40

Junction Temperature Tj (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

4.9x6.0 (t=1.0)

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특징 :

  • Dual TSD 내장 (이 IC는 과열 셧다운(접합부 온도 감지) 및 ΔTj 보호(Power-MOS 급격한 온도 상승 감지) 기능을 갖추고 있습니다.)
  • AEC-Q100 규격 준수 (Grade1)
  • 과전류 보호 (OCP) 내장
  • 액티브 클램프 기능 내장
  • CMOS 로직 IC 등에서 직접 제어 가능
  • 온 저항 RDS(ON) = 25 mΩ (Typ) (VIN 5V, IOUT = 2.4 A, Tj 25 ℃ 시)
  • 컨트롤 블록 (CMOS)과 Power MOS FET이 단일 칩에 실장된 모노리식 파워 매니지먼트 IC
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