BV1HB090EFJ-C
오토모티브용 지능형 전력 반도체 (Intelligent Power Device) 1채널 90mΩ High Side 스위치
BV1HB090EFJ-C
오토모티브용 지능형 전력 반도체 (Intelligent Power Device) 1채널 90mΩ High Side 스위치
BV1HB090EFJ-C 단일 채널 90mΩ Intelligent High Side Power Device는 과전류 부하 보호, 내부 열 과도 현상을 제한하고 IC의 기계적 스트레스를 줄이는 Dual TSD (Temperature Shutdown) 메커니즘, 그리고 유도성 부하 스위칭 시 자기 에너지를 소산하고 과전압 서지로부터 내부 회로를 보호하는 스마트 Active-Clamp 회로를 통합합니다. 내장된 전류 감지 및 진단 기능은 on 및 off 상태 모두에서 실시간 부하 전류 정보와 개방 또는 단락 피드백을 제공합니다. 3V 및 5V CMOS 호환 입력 핀은 특수 인터페이스 또는 레벨 시프터 없이 직접 마이크로컨트롤러 연결을 제공합니다. 이러한 기능은 넓은 입력 전압 범위와 함께 High Side IPD를 12V 배터리 연결 오토모티브용 어플리케이션에 적합한 고성능 부품으로 만듭니다.
Product Detail
기능 안전:
사양 :
Type
High side switches
Generation
GEN3
Qualification Grade
AEC-Q100 (Automotive Grade)
Feature
Current Sense
Overcurrent Protection
Limitation
Thermal Shut Down
Self-restart
Channel Number [ch]
1
ON Resistance(Typ.)[mΩ]
90
ON Resistance(Max.)[mΩ]
180
DC Output Current @Ta=85℃ [A]
3.1
Supply Voltage(Min.)[V]
6
Supply Voltage(Max.)[V]
28
Drain-Source Voltage (Max.)[V]
41
Single Pulse Energy 25°C [mJ]
90
Over Current Limit (Min.)[A]
10
Under voltage Detection Level(Max.)[V]
4
Current consumption(Typ.)[µA]
2700
Open Load Detect [V]
2
Junction Temperature Tj (Min.)[°C]
-40
Junction Temperature Tj (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
4.9x6.0 (t=1.0)
특징 :
- AEC-Q100 규격 준거 (Grade 1)
- 단락 부하 보호
- 과전류 제한
- Active Clamp 및 과전압 보호
- Dual TSD
- 저전압 Lock Out
- 전류 SENSE 회로 내장
- 접지 보호 상실
- 개방 부하 및 Battery 단락 진단 기능
