RJ1P10BAT
P채널 -100V -105A, TO-263AB, 파워 MOSFET
RJ1P10BAT
P채널 -100V -105A, TO-263AB, 파워 MOSFET
RJ1P10BAT는 저 ON 저항 및 고전력 패키지를 갖춘 Power MOSFET으로, 스위칭 및 모터 구동 애플리케이션에 적합합니다.
Product Detail
사양 :
Package Code
TO-263AB
Applications
Switching
Number of terminal
3
Polarity
P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-100
Drain Current ID[A]
-105
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ)
0.0104
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0094
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0104
Total gate charge Qg[nC]
255
Power Dissipation (PD)[W]
201
Drive Voltage[V]
-6
trr (Typ.)[ns]
62
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
15.1×10.11 (t=4.77)
특징 :
- 낮은 ON 저항
- 고전력 패키지 (TO263AB)
- Pb-free plating ; RoHS 준수
- Halogen free
- 100% Rg 및 UIS 테스트 완료
