RE1C002ZP
1.2V Drive P-channel MOSFET
RE1C002ZP
1.2V Drive P-channel MOSFET
MOSFET는 저전력 소비를 위한 모바일 기기에 적합한 미세 가공 기술로 초저 온 저항을 실현합니다. 소형, 고전력, 복합 타입 등 시장 요구에 맞는 다양한 라인업을 제공합니다.
Product Detail
사양 :
Package Code
SOT-416FL
JEITA Package
SC-89
Number of terminal
3
Polarity
P
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-20
Drain Current ID[A]
-0.2
RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ)
2.4
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
1
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.8
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
2.4
Power Dissipation (PD)[W]
0.15
Drive Voltage[V]
-1.2
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
1.6x1.6 (t=0.85)
특징 :
· 저전압 (1.2V) 구동 타입· P채널 소신호 MOSFET
· 소형 면실장 패키지
· Pb Free/RoHS Compliant
