RJ1P10BBH
Nch 100V 170A, TO-263AB, Power MOSFET
RJ1P10BBH
Nch 100V 170A, TO-263AB, Power MOSFET
RJ1P10BBH는 온저항이 낮고 고전력 소형 몰드 패키지를 채용한 전력 MOSFET으로, 스위칭 용도에 적합합니다.
Product Detail
사양 :
Package Code
TO-263AB
Applications
Switching
Number of terminal
3
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
100
Drain Current ID[A]
170
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ)
0.0028
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0023
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0028
Total gate charge Qg[nC]
89
Power Dissipation (PD)[W]
189
Drive Voltage[V]
6
trr (Typ.)[ns]
90
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
15.1×10.11 (t=4.77)
특징 :
- 낮은 온저항
- 고전력 소형 몰드 패키지 (TO263AB)
- Pb-free plating ; RoHS 준수
- 100% UIS 테스트 완료
