RA1C030LD
Nch 20V 3A, SMM1006, WLCSP MOSFET
RA1C030LD
Nch 20V 3A, SMM1006, WLCSP MOSFET
RA1C030LD는 스위칭, 단일 셀 배터리 어플리케이션, 모바일 어플리케이션 용도에 최적인, 낮은 ON 저항의 WLCSP (웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지) MOSFET입니다.
Product Detail
사양 :
Package Code
DSN1006-3
Applications
Switching
Number of terminal
3
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
20
Drain Current ID[A]
3
RDS(on)[Ω] VGS=1.8V(Typ)
0.2
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
0.13
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.08
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.2
Total gate charge Qg[nC]
1.5
Power Dissipation (PD)[W]
1
Drive Voltage[V]
1.8
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
1.0x0.6 (t=0.25)
특징 :
- Low on - resistance.
- High Power small Package.
- Pb-free lead plating ; RoHS compliant.
- Halogen Free.
- ESD protection up to 200V (MM).
up to 2kV (HBM). - WLCSP (Wafer level chip size package)
Supporting Information
배경
최근, 소형기기의 고기능화에 따라 기기 내에서 필요로 하는 전력량이 증가하고 있습니다. 이에 따른 배터리 사이즈의 대형화로 인해 부품의 실장 스페이스는 감소하고 있습니다. 또한, 배터리의 대형화에는 한계가 있으므로, 한정된 배터리 전력을 효율적으로 사용하기 위해, 탑재된 부품에는 한층 더 강력한 전력 손실 억제가 요구되고 있습니다.
이러한 상황에서, MOSFET에서는 소형화가 용이하고 특성이 우수한 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지를 채용한 개발이 업계의 주류가 되고 있습니다. 로옴은 IC 메이커로서의 강점을 활용하여, 디스크리트의 기존 프로세스에서는 커졌던 배선 저항을, IC 프로세스를 활용함으로써 대폭 삭감하여, 전력 손실을 억제한 소형 MOSFET를 개발하였습니다.
개요
「RA1C030LD」는 로옴의 독자적인 IC 프로세스를 응용한 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지 DSN1006-3 (1.0mm×0.6mm)을 채용하여, 소형화와 동시에 낮은 전력 손실을 실현하였습니다. 도통 손실과 스위칭 손실의 관계를 나타내는 지표 (ON 저항×Qgd)에서, 패키지가 동일한 일반품에 비해 최대 약 20% 향상된 업계 최고 수준 (1.0mm×0.6mm 이하 패키지 비교)을 달성하여, 각종 소형기기의 기판 상 부품 면적 삭감과 고효율화에 크게 기여합니다. 또한, 로옴의 독자적인 패키지 구조를 통해, 측벽의 절연 보호를 실현 (동일 패키지 일반품은 절연 보호 없음)하였습니다. 면적의 제약으로 인해 부품의 고밀도 실장이 필요한 소형기기에서, 부품간 접촉으로 인한 단락 (쇼트) 리스크를 낮출 수 있어, 안전 동작에 기여합니다.
어플리케이션 예
- ◇무선 이어폰 등 히어러블 단말기
- ◇스마트 워치, 스마트 안경, 액션 카메라 등 웨어러블 기기
- ◇스마트폰
- 기타, 폭넓은 소형 · 박형기기의 스위칭에 채용 가능합니다.
