US5U35
4V Drive Pch+SBD MOSFET

전계 효과 트랜지스터 MOSFET. 미세 프로세스를 채용한 저 ON 저항 MOSFET 와 쇼트키 배리어 다이오드 (SBD) 를 복합화하여, 풍부한 라인업으로 다양한 시장 요구에 대응합니다.

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* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다.
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Product Detail

 
형명 | US5U35TR
상태 | 구입 가능
패키지 | TUMT5
포장 수량 | 3000
최소 포장 단위 | 3000
포장 사양 | Taping
RoHS | Yes

사양 :

Package Code

SOT-353T

JEITA Package

SC-113CA

Number of terminal

5

Polarity

Pch+Schottky

Drain-Source Voltage VDSS[V]

-45

Drain Current ID[A]

-0.7

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)

1

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.9

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.6

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

1

Total gate charge Qg[nC]

1.7

Power Dissipation (PD)[W]

0.7

Drive Voltage[V]

-4

Reverse voltage VR (Diode) [V]

40

Forward Current IF (Diode) [A]

0.1

Forward Current Surge Peak IFSM (Diode) [A]

1

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

2x2.1 (t=0.85)

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